Формирование, структура и оптические свойства однофазных пленок CaSi И CaSi2 на Si подложках

В работе оптимизированы условия и выращены однофазные пленки моносилицида кальция (CaSi) и дисилицида кальция (CaSi2) на монокристаллическом кремнии с тремя ориентациями: (111), (100) и (110). Определена минимальная температура эпитаксиального роста пленок CaSi методом РДЭ: T = 475 °C и пленок CaSi2 методом МЛЭ: T = 640 °C, выращена крупноблочная эпитаксиальная пленка CaSi2 со структурой hR6. Впервые зарегистрированы и идентифицированы спектры КР и спектры отражения от однофазных эпитаксиальных пленок CaSi и CaSi2 на кремнии. Установлено соответствие между экспериментальными спектрами отражения и теоретически рассчитанными спектрами отражения при энергиях фотонов 0,1 – 6,5 эВ. Однофазные пленки CaSi и CaSi2 сохраняют прозрачность в диапазоне энергий фотонов 0,4–1,2 эВ.