Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства

Пленка Mg₂Si толщиной ~ 800 нм была выращена методом импульсного реактивного осаждения Mg на Si(111) при 340 °C в условиях сверхвысокого вакуума. Структурные исследования с помощью рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей микроскопии поперечного сечения образца демонстрируют высокое кристаллическое качество и 100% текстуру пленки. Термоэлектрические свойства пленки Mg₂Si были исследованы в диапазоне температур от 290 К до 470 К. Тип проводимости пленки меняется с р-типа проводимости при температурах ниже 309 К на n-тип при более высоких температурах. Фактор мощности составляет 0,27 мВт/м×К² при 470 К. Проводимость p-типа может быть связана с наличием кислорода, и/или вакансиями Mg и тройными вакансиями Mg₂Si.