Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Кукенов Олжас Игоревич Соколов Арсений Сергеевич Дирко Владимир Владиславович Лозовой Кирилл Александрович Коханенко Андрей Павлович
Аннотация:

Для создания качественных наноструктур важно понимать морфологию поверхности при заданных параметрах роста. В работе показано влияние температуры на соотношение интенсивностей и периодов, соответствующих росту ступеней Si с разным типом сверхструктуры. Анализ проводился в направлениях [100] и [110].