Статьи по ключевому слову "молекулярно-лучевая эпитаксия"
Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 4
- 503
- Страницы: 50-55
Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 3
- 538
- Страницы: 193-197
Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 5
- 575
- Страницы: 122-127
Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 9
- 628
- Страницы: 112-116
Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 9
- 626
- Страницы: 79-83
Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 4
- 572
- Страницы: 74-78
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 6
- 561
- Страницы: 64-68
Наноразмерные слои гексаферрита BaFe12O19, выращенные методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии: рост, кристаллическая структура и магнитные свойства
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 5
- 1091
- Страницы: 363-368
Формирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 11
- 1264
- Страницы: 158-161
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 16
- 1658
- Страницы: 59-63
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 11
- 1618
- Страницы: 48-53
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 10
- 1631
- Страницы: 36-41
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 16
- 1692
- Страницы: 145-149
Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 5420
- Страницы: 28-31