Последние выпуски
Изготовление и исследование УФ — фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 30
- 5797
- Страницы: 145-149
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 37
- 5733
- Страницы: 157-162
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 4586
- Страницы: 133-137
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 16
- 4462
- Страницы: 439-443
Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 23
- 3300
- Страницы: 220-223
Исследование слоев GaPN (As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 16
- 3059
- Страницы: 275-278
Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 24
- 4157
- Страницы: 46-51
Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 16
- 4121
- Страницы: 100-104
Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 6
- 812
- Страницы: 209-213
Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 3
- 852
- Страницы: 247-251
Влияние быстрого термического отжига на свойства структур GaPN (As), выращенных на кремниевых подложках
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 7
- 774
- Страницы: 45-48
Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 4
- 698
- Страницы: 196-199

