НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
ru Русский
Версия для слабовидящих
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Автор Никитина Екатерина Викторовна
Подать статью
Последние выпуски
Никитина Екатерина Викторовна

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
Казакин А.Н. Эннс Я.Б. Уваров А.В. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 25
  • 3651
  • Страницы: 145-149

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Филатов В.В. Мизеров А.М. Тимошнев С.Н. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 33
  • 3611
  • Страницы: 157-162

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
Никитина Е.В. Березовская Т.Н. Пирогов Е.В. Василькова Е.И. Шубина К.Ю. Синицкая О.А. Соболев М.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 2497
  • Страницы: 133-137

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Мизеров А.М. Никитина Е.В.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 2385
  • Страницы: 439-443

Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

Физическая оптика
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Баранов А.И. Мизеров А.М. Никитина Е.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 1129
  • Страницы: 220-223

Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
Никитина Е.В. Шубина К.Ю. Соболев М.С. Пирогов Е.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 888
  • Страницы: 275-278

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Артеев Д.С. Сахаров А.В. Николаев А.Е. Заварин Е.Е. Никитина Е.В. Цацульников А.Ф.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 482
  • Страницы: 46-51

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Шубина К.Ю. Синицкая О.А. Эннс Я.Б. Мизеров А.М. Никитина Е.В.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 455
  • Страницы: 100-104

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: