Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
Авторы:
Аннотация:
В данной работе были изготовлены ультрафиолетовые фотодетекторы металл-полупроводник-металл и металл-диэлектрик-полупроводник на основе эпитаксиальных слоев GaN, и исследованы их вольт-амперные характеристики. Было обнаружено, что темновой ток фотодетекторов уменьшился в 49 раз после введения диэлектрического слоя SiO2 толщиной 20 нм, а отношение фототока к темновому току увеличилось максимум в 35 раз.