Статьи по ключевому слову "GaN"
Вольтамперные характеристики перовскитных пленок MaPbI3 , сформированных одностадийным методом центрифугирования
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 4
- 18
- 759
- Страницы: 9-19
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
Шугабаев Т.М.
Гридчин В.О.
Резник Р.Р.
Хребтов А.И.
Мельниченко И.А.
Кулагина А.С.
Котляр К.П.
Лендяшова В.В.
Крыжановская Н.В.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 3
- 529
- Страницы: 255-260
Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 4
- 467
- Страницы: 249-254
Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 5
- 501
- Страницы: 223-227
Низкотемпературный метод удаления органических веществ из мезопористых частиц SiO2-ЦТАБ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 0
- 519
- Страницы: 183-187
О смачивании подложек полиэтилентерефталата многокомпонентными дисперсиями оксида графена
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 2
- 622
- Страницы: 177-182
Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением
Бабичев А.В.
Надточий А.М.
Ткач Ю.С.
Крыжановская Н.В.
Блохин С.А.
Неведомский В.Н.
Гладышев А.Г.
Малеев Н.А.
Карачинский Л.Я.
Новиков И.И.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 4
- 529
- Страницы: 50-55
Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 10
- 560
- Страницы: 449-453
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 3
- 506
- Страницы: 439-443
Фотокаталитические свойства плазмонного нанокомпозита NiO – золото
Кондратьева А.С.
Комаревцев И.М.
Эннс Я.Б.
Казакин А.Н.
Питиримова Е.А.
Студзинский В.М.
Мишин М.В.
Карасёв П.А.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 14
- 535
- Страницы: 310-315
Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 3
- 636
- Страницы: 94-99
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
Черненко Н.Е.
Махов И.С.
Балакирев С.В.
Кириченко Д.В.
Шандыба Н.А.
Крыжановская Н.В.
Солодовник М.С.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 6
- 582
- Страницы: 64-68
Исследование кристаллизации скопления роботов в параболическом потенциале
Бузаков М.К.
Смирнов В.А.
Сенникова Д.В.
Молодцова А.А.
Розенблит А.Д.
Порватов В.А.
Бурмистров О.И.
Пухтина Е.М.
Дмитриев А.А.
Олехно Н.А.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 13
- 641
- Страницы: 36-40
Электрические и термоэлектрические свойства координационного полимера на основе феназиновых лигандов и серебра
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 2
- 22
- 1372
- Страницы: 68-77
Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия
Семенов А.
Нечаев Д.B.
Березина Д.
Гусева Ю.А.
Кулагина М.М.
Смирнова И.П.
Задиранов Ю.М.
Трошков С.
Шмидт Н.П.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 13
- 1064
- Страницы: 182-187
Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 21
- 1411
- Страницы: 170-175
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 12
- 1075
- Страницы: 85-89
Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 14
- 1201
- Страницы: 62-66
Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 17
- 1238
- Страницы: 33-38
Синтез полуполярного GaN(11-22) на наноструктурированной подложке Si(113)
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 5
- 1112
- Страницы: 224-228
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Максимова А.А.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 37
- 1351
- Страницы: 179-184
Исследование проводимости электрохимически легированных тонких полимерных пленок на основе саленовых комплексов никеля
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 10
- 1505
- Страницы: 90-95
Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах
Шабунина Е.И.
Иванов А.Е.
Тальнишних Н.А.
Карташова А.П.
Полоскин Д.С.
Шмидт Н.П.
Закгейм А.Л.
Черняков А.Е.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 17
- 1354
- Страницы: 70-76
Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 13
- 1142
- Страницы: 380-384
Проводимость наноструктурированных пленок фталоцианина марганца
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 4
- 1249
- Страницы: 346-350
Расчет рабочего процесса схемы управления импульсным режимом работы МПД ускорителя
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 5
- 1297
- Страницы: 301-308
Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 5
- 1225
- Страницы: 79-83
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 1672
- Страницы: 311-314
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 25
- 1721
- Страницы: 281-284
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
Синицкая О.А.
Шубина К.Ю.
Мохов Д.В.
Уваров А.В.
Филатов В.В.
Мизеров А.М.
Тимошнев С.Н.
Никитина Е.В.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 15
- 1741
- Страницы: 157-162
Моделирование GaN n-канальных и р-канальных нормально-закрытых транзисторов для монолитных схем
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 12
- 1657
- Страницы: 134-137
Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 17
- 1910
- Страницы: 21-24
Структурированные биомолекулярные пленки для микроэлектроники
- Год: 2021
- Том: 14
- Выпуск: 1
- 29
- 3915
- Страницы: 85-99
Спектральные СВЧ- и оптические характеристики наноструктурированных углеродных и органических пленок
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 1
- 64
- 5209
- Страницы: 106-117
Структурные свойства дегидратированных пленок белковых растворов
- Год: 2019
- Том: 12
- Выпуск: 4
- 26
- 4990
- Страницы: 25-37
Разработка феноменологической модели фазового разделения на примере манганита
- Год: 2018
- Том: 11
- Выпуск: 3
- 19
- 6019
- Страницы: 17-26
Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора
- Год: 2009
- Выпуск: 1
- 0
- 5617
- Страницы: 43-48
Действие оптического излучения на зарядовое и магнитное состояния ионов железа в силленитах
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 179
- 5483
- Страницы: 22-32
Температурная эволюция магнитных свойств лантан-стронциевых манганитов
- Год: 2016
- Выпуск: 3
- 117
- 5705
- Страницы: 15-22
Применение самоорганизующихся карт Кохонена для формирования представительской выборки при обучении многослойного персептрона
- Год: 2016
- Выпуск: 2
- 375
- 6150
- Страницы: 95-107
Состав и структура тонких пленок на основе металлопорфириновых комплексов
- Год: 2016
- Выпуск: 2
- 133
- 5500
- Страницы: 9-18
Самоорганизация радиационных дефектов в неорганических диэлектриках
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 5515
- Страницы: 7-10
Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 5634
- Страницы: 45-48
Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 5977
- Страницы: 28-31
Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 5434
- Страницы: 28-31
Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 5
- 5351
- Страницы: 71-80