Статьи по ключевому слову "GaN"

Исследование резонаторных оптических свойств микрокристаллов перилена

Новые материалы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 496
  • Страницы: 152-157

Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 2
  • 430
  • Страницы: 83-87

Показатели работы подвесного спинового клапана системы NiFe/Co-PANI/NiFe

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 4
  • 9
  • 1175
  • Страницы: 106-113

Пороговый ток отдельных спектральных составляющих спектра излучения светодиодов на основе InGaN

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 862
  • Страницы: 161-165

Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 937
  • Страницы: 143-147

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 1196
  • Страницы: 306-309

Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 1122
  • Страницы: 220-223

Оптимизация конструкции экранирующих электродов для повышения напряжения пробоя GaN HEMT

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 16
  • 1168
  • Страницы: 204-209

Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 18
  • 2154
  • Страницы: 61-70

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 2273
  • Страницы: 43-48

Вольтамперные характеристики перовскитных пленок MaPbI3 , сформированных одностадийным методом центрифугирования

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 41
  • 2886
  • Страницы: 9-19

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 2416
  • Страницы: 255-260

Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 12
  • 2373
  • Страницы: 249-254

Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 11
  • 2595
  • Страницы: 223-227

Низкотемпературный метод удаления органических веществ из мезопористых частиц SiO2-ЦТАБ

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 2350
  • Страницы: 183-187

О смачивании подложек полиэтилентерефталата многокомпонентными дисперсиями оксида графена

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 2634
  • Страницы: 177-182

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 14
  • 2696
  • Страницы: 50-55

Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 29
  • 2581
  • Страницы: 449-453

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 2377
  • Страницы: 439-443

Фотокаталитические свойства плазмонного нанокомпозита NiO – золото

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 2471
  • Страницы: 310-315

Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 2478
  • Страницы: 94-99

Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 2463
  • Страницы: 64-68

Исследование кристаллизации скопления роботов в параболическом потенциале

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 24
  • 2818
  • Страницы: 36-40

Электрические и термоэлектрические свойства координационного полимера на основе феназиновых лигандов и серебра

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 28
  • 3538
  • Страницы: 68-77

Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

Новые материалы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 25
  • 2972
  • Страницы: 182-187

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 27
  • 3307
  • Страницы: 170-175

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 18
  • 2954
  • Страницы: 85-89

Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 20
  • 3058
  • Страницы: 62-66

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 21
  • 3212
  • Страницы: 33-38

Синтез полуполярного GaN(11-22) на наноструктурированной подложке Si(113)

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 14
  • 2935
  • Страницы: 224-228

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 55
  • 3468
  • Страницы: 179-184

Исследование проводимости электрохимически легированных тонких полимерных пленок на основе саленовых комплексов никеля

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 21
  • 3372
  • Страницы: 90-95

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 29
  • 3384
  • Страницы: 70-76

Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 28
  • 3022
  • Страницы: 380-384

Проводимость наноструктурированных пленок фталоцианина марганца

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 10
  • 3048
  • Страницы: 346-350

Расчет рабочего процесса схемы управления импульсным режимом работы МПД ускорителя

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 3164
  • Страницы: 301-308

Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 3174
  • Страницы: 79-83

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 29
  • 3599
  • Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 36
  • 3656
  • Страницы: 281-284

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 33
  • 3602
  • Страницы: 157-162

Моделирование GaN n-канальных и р-канальных нормально-закрытых транзисторов для монолитных схем

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 23
  • 3621
  • Страницы: 134-137

Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 25
  • 3748
  • Страницы: 21-24

Структурированные биомолекулярные пленки для микроэлектроники

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2021
  • Том: 14
  • Выпуск: 1
  • 32
  • 6215
  • Страницы: 85-99

Спектральные СВЧ- и оптические характеристики наноструктурированных углеродных и органических пленок

Физическое материаловедение
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 1
  • 66
  • 7272
  • Страницы: 106-117

Структурные свойства дегидратированных пленок белковых растворов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2019
  • Том: 12
  • Выпуск: 4
  • 28
  • 7024
  • Страницы: 25-37

Разработка феноменологической модели фазового разделения на примере манганита

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 3
  • 19
  • 7895
  • Страницы: 17-26

Модельный объект для изучения Т-экситонов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2010
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 7761
  • Страницы: 53-63

Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 7937
  • Страницы: 7-11

Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 7265
  • Страницы: 43-48

Эффект даун-конверсии в люминофорах зеленого свечения BaF2: Gd3+, Tb3+ – перспектива использования в безртутных флуоресцентных лампах

Физическое материаловедение
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 3
  • 93
  • 8206
  • Страницы: 64-74

Действие оптического излучения  на зарядовое и магнитное состояния  ионов железа в силленитах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 179
  • 7278
  • Страницы: 22-32

Температурная эволюция магнитных свойств лантан-стронциевых манганитов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2016
  • Выпуск: 3
  • 119
  • 7588
  • Страницы: 15-22

Применение самоорганизующихся карт Кохонена для формирования представительской выборки при обучении многослойного персептрона

Математика
  • Год: 2016
  • Выпуск: 2
  • 376
  • 7995
  • Страницы: 95-107

Состав и структура тонких пленок  на основе металлопорфириновых комплексов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2016
  • Выпуск: 2
  • 133
  • 7293
  • Страницы: 9-18

Композитные тонкие пленки C60CDS для фотоэлектроники

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7517
  • Страницы: 23-29

Самоорганизация радиационных дефектов в неорганических диэлектриках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7340
  • Страницы: 7-10

Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7530
  • Страницы: 49-55

Выпрямляющие свойства структур на основе фуллерена С60

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7693
  • Страницы: 18-21

Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7446
  • Страницы: 45-48

Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7866
  • Страницы: 28-31

Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 7292
  • Страницы: 28-31

Применение методов атомно-силовой микроскопии для анализа сегнетоэлектрических и магнитных свойств манганита тербия, легированного висмутом, при низких температурах

Физическое материаловедение
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 715
  • 8840
  • Страницы: 137-143

Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 6
  • 7163
  • Страницы: 71-80

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: