НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "GaN"

    Оптимизация гетероструктур AlGaN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Родин С.Н.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 1
    • 210
    • Страницы: 129-133

    Формирование двумерных лазерно-индуцированных периодических поверхностных структур на металлах и фазопеременных материалах

    Физическая оптика
    Федяй В.Е.Бронников К.А.Симанчук А.Э.Лазаренко П.И.Якубов А.О.Жижченко А.Ю.Кучмижак А.А.Достовалов А.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 5
    • 832
    • Страницы: 111-116

    Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 4
    • 698
    • Страницы: 196-199

    Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Харченко А.А.Даутов А.М.Кузнецов А.Лендяшова В.В.Крыжановская Н.В.Резник Р.Р.Гридчин В.О.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 7
    • 815
    • Страницы: 278-282

    Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов

    Физическая оптика
    Комаров С.Д.Войнилович А.Г.Фейгин Г.А.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Иванов К.А.Моисеев Э.И.Крыжановская Н.В.Никитина Е.В.Цацульников А.Ф.Луценко Е.В.Жуков А.Е.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 6
    • 813
    • Страницы: 209-213

    Измерение толщины барьерного слоя в гетероструктурах AlGaN/GaN методом спектроскопии оптического отражения: сравнение с рентгеновской рефлектометрией

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Филимонов А.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 9
    • 810
    • Страницы: 143-147

    Рост нитевидных нанокристаллов GaN с вставками InN с помощью МПЭ-ПА

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Гридчин В.О.Минтаиров А.М.Шугабаев Т.Аксенов В.Ю.Власов А.С.Лендяшова В.В.Котляр К.П.Елисеев И.А.Хребтов А.И.Резник Р.Р.Давыдов В.Ю.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 5
    • 798
    • Страницы: 139-142

    Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Масютин Д.А.Руднев А.А.Моисеев Э.И.Войнилович А.Г.Луценко Е.В.Цацульников А.Ф.Сахаров А.В.Артеев Д.С.Николаев А.Е.Пивоварова А.А.Заварин Е.Е.Ильинская Н.Д.Марков Л.К.Смирнова И.П.Крыжановская Н.В.Жуков А.Е.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 13
    • 966
    • Страницы: 125-128

    Улучшенные оптические характеристики композитных пленок FAPbBr3-MOF

    Физика конденсированного состояния
    Поздняков С.В.Матвеева Е.Д.Ли Ш.Санджиева М.А.Макаров С.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 12
    • 858
    • Страницы: 105-109

    Применение фрактальных методов для анализа данных микродеформаций земной коры

    Приборы и техника физического эксперимента
    Лисовицкий А.С.Чупин В. А.Московченко Л.Г.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4
    • 13
    • 940
    • Страницы: 101-113

    Исследование резонаторных оптических свойств микрокристаллов перилена

    Новые материалы
    Смирнов К.А.Жабоев Е.И.Митетело Н.В.Майдыковский А.И.Мурзина Т.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 19
    • 4171
    • Страницы: 152-157

    Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

    Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
    Шаров В.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 10
    • 3981
    • Страницы: 83-87

    Показатели работы подвесного спинового клапана системы NiFe/Co-PANI/NiFe

    Приборы и техника физического эксперимента
    Немаде К. Р.Махешвари П.Б.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 4
    • 11
    • 4088
    • Страницы: 106-113

    Пороговый ток отдельных спектральных составляющих спектра излучения светодиодов на основе InGaN

    Приборы и техника физического эксперимента
    Фролов И.В.Радаев О.А.Сергеев В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 12
    • 3072
    • Страницы: 161-165

    Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

    Физика молекул, кластеров и наноструктур
    Гридчин В.О.Шугабаев Т.Лендяшова В.В.Котляр К.П.Хребтов А.И.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 17
    • 2788
    • Страницы: 143-147

    Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Гридчин В.О.Кузнецов А.Кулагина А.С.Хребтов А.И.Лендяшова В.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 18
    • 3473
    • Страницы: 306-309

    Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Баранов А.И.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 3302
    • Страницы: 220-223

    Оптимизация конструкции экранирующих электродов для повышения напряжения пробоя GaN HEMT

    Физическая электроника
    Козловская Е.А.Курбанбаева Д.М.Царик К.А.Лашков А.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 3418
    • Страницы: 204-209

    Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов

    Приборы и техника физического эксперимента
    Усыченко В. Г.Чернова А. С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 2
    • 24
    • 4514
    • Страницы: 61-70

    Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Осинных И.В.Малин Т.В.Милахин Д.С.Журавлев К.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 28
    • 4475
    • Страницы: 43-48

    Вольтамперные характеристики перовскитных пленок MaPbI3 , сформированных одностадийным методом центрифугирования

    Физика конденсированного состояния
    Овезов М.К.Рябко А.А.Алешин А.Н.Мошников В.А.Кондратьев В.М.Максимов А.И.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 4
    • 43
    • 5310
    • Страницы: 9-19

    Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Гридчин В.О.Резник Р.Р.Хребтов А.И.Мельниченко И.А.Кулагина А.С.Котляр К.П.Лендяшова В.В.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 13
    • 4643
    • Страницы: 255-260

    Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

    Физическое материаловедение
    Леньшин А.С.Золотухин Д.С.Середин П.В.Мизеров А.М.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 17
    • 4545
    • Страницы: 249-254

    Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии

    Физическое материаловедение
    Гращенко А.С.Кукушкин С.А.Шарофидинов Ш.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 12
    • 4844
    • Страницы: 223-227

    Низкотемпературный метод удаления органических веществ из мезопористых частиц SiO2-ЦТАБ

    Физическое материаловедение
    Стовпяга Е.Ю.Грудинкин С.А.Еуров Д.А.Курдюков Д.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 5
    • 4456
    • Страницы: 183-187

    О смачивании подложек полиэтилентерефталата многокомпонентными дисперсиями оксида графена

    Физическое материаловедение
    Комаров И.А.Данилов Е.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 8
    • 4937
    • Страницы: 177-182

    Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

    Физическая оптика
    Бабичев А.В.Надточий А.М.Ткач Ю.С.Крыжановская Н.В.Блохин С.А.Неведомский В.Н.Гладышев А.Г.Малеев Н.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 21
    • 5102
    • Страницы: 50-55

    Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора

    Физическая электроника
    Козловская Е.А.Курбанбаева Д.М.Царик К.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 33
    • 4639
    • Страницы: 449-453

    Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая электроника
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 16
    • 4462
    • Страницы: 439-443

    Фотокаталитические свойства плазмонного нанокомпозита NiO – золото

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Кондратьева А.С.Комаревцев И.М.Эннс Я.Б.Казакин А.Н.Питиримова Е.А.Студзинский В.М.Мишин М.В.Карасёв П.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 4587
    • Страницы: 310-315

    Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света

    Физика конденсированного состояния
    Баева М.Г.Гец Д.С.Полушкин А.С.Воробьев А.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 13
    • 4577
    • Страницы: 94-99

    Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

    Физика конденсированного состояния
    Черненко Н.Е.Махов И.С.Балакирев С.В.Кириченко Д.В.Шандыба Н.А.Крыжановская Н.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 4549
    • Страницы: 64-68

    Исследование кристаллизации скопления роботов в параболическом потенциале

    Физика конденсированного состояния
    Бузаков М.К.Смирнов В.А.Сенникова Д.В.Молодцова А.А.Розенблит А.Д.Порватов В.А.Бурмистров О.И.Пухтина Е.М.Дмитриев А.А.Олехно Н.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 27
    • 5185
    • Страницы: 36-40

    Электрические и термоэлектрические свойства координационного полимера на основе феназиновых лигандов и серебра

    Физическое материаловедение
    Третьяков А.А.Капралова В.М.Сапурина И.Ю.Сударь Н.Т.Шишов М.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 2
    • 35
    • 5904
    • Страницы: 68-77

    Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

    Новые материалы
    Семенов А.Нечаев Д.B.Березина Д.Гусева Ю.А.Кулагина М.М.Смирнова И.П.Задиранов Ю.М.Трошков С.Шмидт Н.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 30
    • 4847
    • Страницы: 182-187

    Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Иванов А.Е.Тальнишних Н.А.Черняков А.Е.Закгейм А.Л.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 29
    • 5191
    • Страницы: 170-175

    Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Тальнишних Н.А.Иванов А.Е.Шабунина Е.И.Шмидт Н.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 18
    • 4904
    • Страницы: 85-89

    Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Майдэбура Я.Малин Т.В.Журавлев К.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 21
    • 4897
    • Страницы: 62-66

    Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

    Объемные свойства полупроводников
    Осинных И.В.Малин Т.В.Журавлев К.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 24
    • 5274
    • Страницы: 33-38

    Синтез полуполярного GaN(11-22) на наноструктурированной подложке Si(113)

    Физическое материаловедение
    Бессолов В.Н.Коненкова Е.В.Родин С.Н.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 15
    • 5205
    • Страницы: 224-228

    Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Резник Р.Р.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Максимова А.А.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 68
    • 5765
    • Страницы: 179-184

    Исследование проводимости электрохимически легированных тонких полимерных пленок на основе саленовых комплексов никеля

    Физическая электроника
    Смирнова Е.А.Чепурная И.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 22
    • 5409
    • Страницы: 90-95

    Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

    Физическая электроника
    Шабунина Е.И.Иванов А.Е.Тальнишних Н.А.Карташова А.П.Полоскин Д.С.Шмидт Н.П.Закгейм А.Л.Черняков А.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 34
    • 5467
    • Страницы: 70-76

    Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 32
    • 4998
    • Страницы: 380-384

    Проводимость наноструктурированных пленок фталоцианина марганца

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Сачков Ю.И.Юнин П.А.Травкин В.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 11
    • 4928
    • Страницы: 346-350

    Расчет рабочего процесса схемы управления импульсным режимом работы МПД ускорителя

    Математическое моделирование физических процессов
    Ташаев Ю.Н.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 7
    • 5336
    • Страницы: 301-308

    Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями

    Физика конденсированного состояния
    Мынбаева М.Г.Лебедев С.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 13
    • 5215
    • Страницы: 79-83

    Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

    Физическое материаловедение
    Гридчин В.О.Резник Р.Р.Котляр К.П.Шугабаев Т.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 32
    • 5882
    • Страницы: 311-314

    Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Баранов А.И.Максимова А.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 38
    • 5968
    • Страницы: 281-284

    Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Филатов В.В.Мизеров А.М.Тимошнев С.Н.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 37
    • 5733
    • Страницы: 157-162

    Моделирование GaN n-канальных и р-канальных нормально-закрытых транзисторов для монолитных схем

    Физическая электроника
    Егоркин В.И.Земляков В.Е.Зайцев А.А.Чуканова О.Б.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 27
    • 5641
    • Страницы: 134-137

    Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

    Физика конденсированного состояния
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Цацульников А.Ф.Устинов В.М.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 27
    • 5834
    • Страницы: 21-24

    Структурированные биомолекулярные пленки для микроэлектроники

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Баранов М. А.Цыбин О.Ю.Величко Е.Н.
    • Год: 2021
    • Том: 14
    • Выпуск: 1
    • 33
    • 8464
    • Страницы: 85-99

    Спектральные СВЧ- и оптические характеристики наноструктурированных углеродных и органических пленок

    Физическое материаловедение
    Старостенко В.В.Мазинов А. С-А.Тютюник А.С.Фитаев И.Ш.Гурченко В.С.
    • Год: 2020
    • Том: 13
    • Выпуск: 1
    • 67
    • 9532
    • Страницы: 106-117

    Структурные свойства дегидратированных пленок белковых растворов

    Физика конденсированного состояния
    Баранов М. А.Величко Е.Н.Розов С.В.
    • Год: 2019
    • Том: 12
    • Выпуск: 4
    • 29
    • 9437
    • Страницы: 25-37

    Разработка феноменологической модели фазового разделения на примере манганита

    Физика конденсированного состояния
    Шапошникова Т. С.Мамин Р. Ф.
    • Год: 2018
    • Том: 11
    • Выпуск: 3
    • 19
    • 9982
    • Страницы: 17-26

    Модельный объект для изучения Т-экситонов

    Физика конденсированного состояния
    Ящуржинская О. А.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 4
    • 0
    • 9651
    • Страницы: 53-63

    Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Хапугин О. Е.Горбачева Е. А.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 4
    • 0
    • 9878
    • Страницы: 7-11

    Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора

    Физика конденсированного состояния
    Березняк А. Ф.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 1
    • 0
    • 9065
    • Страницы: 43-48

    Эффект даун-конверсии в люминофорах зеленого свечения BaF2: Gd3+, Tb3+ – перспектива использования в безртутных флуоресцентных лампах

    Физическое материаловедение
    Джайсвал С.Р.Савала Н. С.Копаркар К. А.Нагпуре П. А.Баткар В. Б.Оманвар Ш. К.
    • Год: 2017
    • Том: 10
    • Выпуск: 3
    • 94
    • 10337
    • Страницы: 64-74

    Действие оптического излучения  на зарядовое и магнитное состояния  ионов железа в силленитах

    Физика конденсированного состояния
    Капралова В.М.Ильинский А.В.Кастро Р.А.Набиуллина Л.А.Шадрин Е.Б.
    • Год: 2016
    • Выпуск: 4
    • 179
    • 9283
    • Страницы: 22-32

    Температурная эволюция магнитных свойств лантан-стронциевых манганитов

    Физика конденсированного состояния
    Ванина П.Ю.Набережнов А.А.Нижанковский В.И.Мамин Р. Ф.
    • Год: 2016
    • Выпуск: 3
    • 119
    • 9638
    • Страницы: 15-22

    Применение самоорганизующихся карт Кохонена для формирования представительской выборки при обучении многослойного персептрона

    Математика
    Пастухов А.А.Прокофьев А. А.
    • Год: 2016
    • Выпуск: 2
    • 380
    • 9876
    • Страницы: 95-107

    Состав и структура тонких пленок  на основе металлопорфириновых комплексов

    Физика конденсированного состояния
    Романов Н.М.Захарова И.Б.
    • Год: 2016
    • Выпуск: 2
    • 137
    • 9259
    • Страницы: 9-18

    Композитные тонкие пленки C60CDS для фотоэлектроники

    Физика конденсированного состояния
    Захарова И.Б.Супрун Е.И.Ильин В.И.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 1
    • 9515
    • Страницы: 23-29

    Самоорганизация радиационных дефектов в неорганических диэлектриках

    Физика конденсированного состояния
    Ванина Е.А.Рокосей В.А.Веселова Е.М.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9232
    • Страницы: 7-10

    Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами

    Физика конденсированного состояния
    Карасёв П.А.Титов А.И.Улла М.В.Джурабекова Ф.Куронен А.Нордлунд К.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9562
    • Страницы: 49-55

    Выпрямляющие свойства структур на основе фуллерена С60

    Физика конденсированного состояния
    Зиминов В.М.Захарова И.Б.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9666
    • Страницы: 18-21

    Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

    Приборы и техника физического эксперимента
    Басалкевич Т.М.Тальнишних Н.А.Шмидт Н.П.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9407
    • Страницы: 45-48

    Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия

    Физика конденсированного состояния
    Ламкин И.А.Менькович Е.А.Тарасов С.А.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9768
    • Страницы: 28-31

    Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

    Физика конденсированного состояния
    Мамаев В.В.Сидоров В.Г.Петров С.И.Алексеев А.Н.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 4
    • 1
    • 9235
    • Страницы: 28-31

    Применение методов атомно-силовой микроскопии для анализа сегнетоэлектрических и магнитных свойств манганита тербия, легированного висмутом, при низких температурах

    Физическое материаловедение
    Андреева Н.В.Санина В.А.Филимонов А.В.Фотиади А.Э.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 2
    • 715
    • 10899
    • Страницы: 137-143

    Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения

    Приборы и техника физического эксперимента
    Сидоров В.Г.Шмидт Н.П.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 2
    • 8
    • 9095
    • Страницы: 71-80