Синтез полуполярного GaN(11-22) на наноструктурированной подложке Si(113)

Предложен метод синтеза гексагонального GaN на подложке Si(113), на поверхности которой сформирована наноструктура с размером элементов около 75 нм (подложка NP-Si(113)). Установлено, что метод газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на такой подложке позволяет сформировать полуполярный слой GaN(11-22) при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания ω_θ ~ 30 arcmin. Показано, что при эпитаксии из металлоорганических соединений в атмосфере водорода на начальных стадиях роста ориентация слоя задается направлением плоскости Si(111) наноканавок в NP-Si(113), а скорость роста слоя GaN в направлении плоскостей (11-22) и (0001) соизмерима.