Синтез полуполярного GaN (11−22) на наноструктурированной подложке Si (113)

Предложен метод синтеза гексагонального GaN на подложке Si (113), на поверхности которой сформирована наноструктура с размером элементов около 75 нм (подложка NP-Si (113)). Установлено, что метод газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на такой подложке позволяет сформировать полуполярный слой GaN (11−22) при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания ω_θ ~ 30 arcmin. Показано, что при эпитаксии из металлоорганических соединений в атмосфере водорода на начальных стадиях роста ориентация слоя задается направлением плоскости Si (111) наноканавок в NP-Si (113), а скорость роста слоя GaN в направлении плоскостей (11−22) и (0001) соизмерима.