Изготовление наноразмерных структур методом ионно-стимулированного осаждения материалов и изучение их электрических свойств

Методы локального формирования наноразмерных структур, основанные на применении фокусированного ионного пучка (ФИП), открывают новые возможности с точки зрения обеспечения необходимых геометрических параметров и обеспечения воспроизводимости микро- и наноструктур, что способствует разработке устройств с недостижимыми ранее характеристиками. В данной работе представлены технологические режимы формирования наноструктур путем ионно-стимулированного осаждения углерода и вольфрама, а также электронно-стимулированного осаждения вольфрама. Предложен метод измерения электрических параметров структур с высоким соотношением сторон, основанный на атомно-силовой микроскопии (АСМ). При приложении смещения 50 В достигнуто значение тока 25 нА. Для различных наноструктур пороговые значения напряжения варьировались от 7 до 32 В. Исследована устойчивость структур к воздействию электрического поля при напряжениях до 50 В.