Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

В данной работе представлены результаты оптимизации профиля легирования барьерного слоя в структурах на основе InGaN методом генетического алгоритма. Показано, что в оптимизированной структуре интенсивность «паразитной» люминесценции из GaN слоёв может быть существенно снижена, при этом эффективность излучения из квантовых ям остаётся такой же, как и в лучшей структуре с однородно легированным барьером. Кроме того, суммарная концентрация кремния в оптимизированной структуре в 2,6 раза ниже, что также является преимуществом с точки зрения кристаллического качества выращенных слоёв.