Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

В данной работе были изготовлены прототипы видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов конструкции металл-полупроводник-металл (MPM) на основе эпитаксиальных слоев GaN, которые были синтезированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на сапфировых подложках. Для формирования контактов с барьером Шоттки была выбрана встречно-штыревая геометрия контактных площадок с металлизацией Ni/Au. Было показано, что сформированные фотодетекторы имеют максимальную чувствительность к излучению с длиной волны 350–360 нм. Было обнаружено, что быстрый термический отжиг структур со сформированными МПМ фотодетекторами при температуре 500 °С позволяет уменьшить темновой ток максимум в 30 раз. Кроме того, было показано, что высокотемпературный отжиг привел к увеличению высоты барьера Шоттки и уменьшению коэффициента неидеальности. Таким образом, было продемонстрировано, что данный метод может использоваться для улучшения характеристик  видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов типа металл-полупроводник-металл на основе GaN.