Осинных Игорь Васильевич
  • Место работы
    Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет
  • г. Новосибиpск, Российская Федерация

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 17
  • 1260
  • Страницы: 33-38