НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Последние выпуски

    Статьи из рубрики "Рост структуры, поверхность и интерфейсы"

    Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Ладанова Ю.А.Загороднева В.Н.Дворцова П.А.Сутурин С.М.Федоров В.В.Устинов А. Б.Сахаров В.И.Соколов Н.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 25
    • 4805
    • Страницы: 40-45

    Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Ружевич М.С.Мынбаев К.Д.Фирсов Д.Д.Чуманов И.В.Комков О.С.Варавин В.С.Якушев М.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 30
    • 4574
    • Страницы: 34-39

    Пассивация фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения на основе узкозонных материалов

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Сорокина С.В.Хвостикова О.А.Корниенко П.Д.Хвостиков В.П.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 18
    • 4814
    • Страницы: 28-33

    Наноструктурная инженерия наноматериалов на основе ZnO, содопированного Cu и Al, для сенсорных и фотокаталитических приложений

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Якушова Н.Д.Филиппов И.А.Карманов А.А.Губич И.А.Пронин И.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 17
    • 4749
    • Страницы: 22-27

    Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Хвостикова О.А.Корниенко П.Д.Хвостиков В.П.Салий Р.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 19
    • 4890
    • Страницы: 17-21

    Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Гогина О.А.Петров Ю.В.Вывенко О.Ф.Ковальчук С.Болотин К.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 40
    • 4706
    • Страницы: 49-54

    Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Осинных И.В.Малин Т.В.Милахин Д.С.Журавлев К.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 29
    • 4918
    • Страницы: 43-48

    Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Козодаев Д.А.Новиков И.А.Мошников В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 22
    • 4433
    • Страницы: 37-42

    Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Майдэбура Я.Малин Т.В.Журавлев К.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 22
    • 5325
    • Страницы: 62-66

    Формирование и магнитные свойства ультратонких пленок силицидов кобальта на поверхности кремния

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Моняк А.А.Гребенюк Г.С.Лобанова Е.Ю.Кузьмин М.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 54
    • 5731
    • Страницы: 55-61

    Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Кельнер Олег АлександровичЦацульников А.Ф.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 36
    • 5437
    • Страницы: 50-54

    Повышение эффективности удаления остаточного полимера после переноса графена для повышения чувствительности сенсоров

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Барсуков Л.А.Некрасов Н.П.Ромашкин А.В.Бобринецкий И.И.Левин Д.Д.Неволин В.К.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 66
    • 5796
    • Страницы: 44-49

    Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Амельчук Д.Г.Мынбаева М.Г.Смирнов А.Н.Давыдов В.Ю.Лебедев С.П.Лебедев А.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 44
    • 5545
    • Страницы: 39-43