Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Авторы:
Цацульников Андрей Федорович Николаев Андрей Евгеньевич Заварин Евгений Евгеньевич Кельнер Олег Александрович
Аннотация:

настоящей работе проведено экспериментальное исследование динамики кривизны и остаточного прогиба III-N HEMT структур во время и после эпитаксии для подложек Si(111) диаметром 100 мм различной толщины; была определена динамика кривизны от толщины структуры во время роста, что позволяет определить параметры эпитаксии для получения необходимого прогиба структур после остывания.