НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Цацульников Андрей Федорович
Подать статью
Последние выпуски
Цацульников Андрей Федорович
  • 194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26

Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС

Физика конденсированного состояния
Чернышева Е.А. Сахаров А.В. Черкашин Н.А. Лундин В.В. Цацульников А.Ф.
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7343
  • Страницы: 32-36

Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения

Приборы и техника физического эксперимента
Валюхов В.П. Аладов А.В. Закгейм А.Л. Черняков А.Е. Цацульников А.Ф.
  • Год: 2014
  • Выпуск: 4
  • 468
  • 8221
  • Страницы: 38-47

Беспроводная сеть управляемых энергоэффективных светодиодных источников освещения

Приборы и техника физического эксперимента
Аладов А.В. Валюхов В.П. Дёмин С.В. Закгейм А.Л. Цацульников А.Ф.
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 373
  • 7935
  • Страницы: 50-60

Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

Физика конденсированного состояния
Артеев Д.С. Сахаров А.В. Николаев А.Е. Заварин Е.Е. Цацульников А.Ф. Устинов В.М.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 25
  • 3797
  • Страницы: 21-24

Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Артеев Д.С. Сахаров А.В. Николаев А.Е. Заварин Е.Е. Цацульников А.Ф.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 28
  • 3077
  • Страницы: 380-384

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Кельнер Олег Александрович Цацульников А.Ф. Николаев А.Е. Заварин Е.Е.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 30
  • 3091
  • Страницы: 50-54

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Артеев Д.С. Сахаров А.В. Николаев А.Е. Заварин Е.Е. Никитина Е.В. Цацульников А.Ф.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 521
  • Страницы: 46-51