НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторСахаров Алексей Валентинович
    Подать статью
    Последние выпуски
    Сахаров Алексей Валентинович
    Сахаров Алексей Валентинович
    Место работы
    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
    194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26

    Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС

    Физика конденсированного состояния
    Чернышева Е.А.Сахаров А.В.Черкашин Н.А.Лундин В.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9157
    • Страницы: 32-36

    Влияние концентрации алюминия в барьерном слое на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия

    Физика конденсированного состояния
    Корнышов Г.О.Сахаров А.В.Николаев А.Е.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 4
    • 358
    • 9422
    • Страницы: 31-36

    Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

    Физика конденсированного состояния
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Цацульников А.Ф.Устинов В.М.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 27
    • 5746
    • Страницы: 21-24

    Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 32
    • 4898
    • Страницы: 380-384

    Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Никитина Е.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 24
    • 4057
    • Страницы: 46-51

    Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Масютин Д.А.Руднев А.А.Моисеев Э.И.Войнилович А.Г.Луценко Е.В.Цацульников А.Ф.Сахаров А.В.Артеев Д.С.Николаев А.Е.Пивоварова А.А.Заварин Е.Е.Ильинская Н.Д.Марков Л.К.Смирнова И.П.Крыжановская Н.В.Жуков А.Е.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 13
    • 870
    • Страницы: 125-128

    Измерение толщины барьерного слоя в гетероструктурах AlGaN/GaN методом спектроскопии оптического отражения: сравнение с рентгеновской рефлектометрией

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Филимонов А.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 7
    • 713
    • Страницы: 143-147

    Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов

    Физическая оптика
    Комаров С.Д.Войнилович А.Г.Фейгин Г.А.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Иванов К.А.Моисеев Э.И.Крыжановская Н.В.Никитина Е.В.Цацульников А.Ф.Луценко Е.В.Жуков А.Е.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 6
    • 711
    • Страницы: 209-213

    Оптимизация гетероструктур AlGaN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Артеев Д.С.Сахаров А.В.Николаев А.Е.Заварин Е.Е.Родин С.Н.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 0
    • 57
    • Страницы: 129-133