Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

В данной работе было исследовано влияние легирования барьерного слоя AlGaN примесью n-типа в одно- и трёхканальных AlGaN/AlN/GaN гетероструктурах на их электрические свойства. Установлено, что  оптимальная толщина i-AlGaN спейсера составляет 3 нм, а оптимальная концентрация Si примеси в n-AlGaN составляет 7·10¹⁸ см^-3. Наименьшее рассчитанное слоевое сопротивление трёхканальной структуры при  комнатной температуре ~ 90 Ом/квадрат, что в три раза меньше, чем у одноканальной структуры.