НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Федоров Владимир Викторович
Подать статью
Последние выпуски
Федоров Владимир Викторович
Федоров Владимир Викторович
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Публикации
Orcid ID
0000-0001-5547-9387

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
Петрук А.Д. Харин Н.Ю. Винниченко М.Я. Норватов И.А. Федоров В.В. Фирсов Д.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 42
  • 4715
  • Страницы: 14-19

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs (P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Устименко Р.В. Винниченко М.Я. Караулов Д.А. Фирсов Д.А. Федоров В.В. Можаров А.М. Кириленко Д.А. Мухин И.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 34
  • 4923
  • Страницы: 101-107

Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

Физическая оптика
Аникина М.А. Кузнецов А. Токсумаков А.Н. Дремов В.В. Казарян Д.А. Федоров В.В. Арсенин А.B. Волков В.С. Большаков А.Д.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 4483
  • Страницы: 130-136

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
Харин Н.Ю. Паневин В.Ю. Петрук А.Д. Винниченко М.Я. Норватов И.А. Федоров В.В.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 216
  • 5303
  • Страницы: 29-38

Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Козко И.А. Карасёва Е.П. Сосновицкая З.Ф. Истомина М.С. Федоров В.В. Шмаков С.В. Кондратьев В.М. Большаков А.Д.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 61
  • 3783
  • Страницы: 113-118

Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Шаров В.А. Алексеев П.А. Федоров В.В. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 3571
  • Страницы: 125-130

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Харин Н.Ю. Паневин В.Ю. Винниченко М.Я. Норватов И.А. Федоров В.В. Фирсов Д.А.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 3539
  • Страницы: 143-148

Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках

Математическое моделирование физических процессов
Дворецкая Л. Н. Можаров А.М. Голтаев А. С. Федоров В.В. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 25
  • 4932
  • Страницы: 38-46

Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом

Физика конденсированного состояния
Ружевич М.С. Мынбаев К.Д. Баженов Н.Л. Кавеев А.К. Павлов А.В. Федоров В.В. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 3169
  • Страницы: 34-37

Модовый анализ оптических микрорезонаторов GaP

Математическое моделирование физических процессов
Фунтикова А.С. Можаров А.М. Федоров В.В. Шаров В.А. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 29
  • 3289
  • Страницы: 115-119

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
Федоров В.В. Федина С.В. Кавеев А.К. Кириленко Д.А. Фалеев Н. Н. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 47
  • 4429
  • Страницы: 120-133

Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP (NAs) на кремнии

Физика конденсированного состояния
Дворецкая Л. Н. Можаров А.М. Комаров С.Д. Вячеславова Е.А. Моисеев Э.И. Федоров В.В. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 33
  • 3894
  • Страницы: 25-35

Формирование разбавленных нитридных нитевидных нанокристаллов InAs1-хNх по типу ядро-оболочка на кремнии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Кавеев А.К. Федоров В.В. Минив Д.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 4
  • 21
  • 3898
  • Страницы: 88-97

Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Ладанова Ю.А. Загороднева В.Н. Дворцова П.А. Сутурин С.М. Федоров В.В. Устинов А. Б. Сахаров В.И. Соколов Н.С.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 22
  • 4119
  • Страницы: 40-45

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Козко И.А. Карасёва Е.П. Свинкин Н.А. Ридер М.А. Вячеславова Е.А. Гридчин В.О. Федоров В.В. Кондратьев В.М. Большаков А.Д.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 3865
  • Страницы: 77-82

Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

Физика конденсированного состояния
Голтаев А. С. Федина С.В. Федоров В.В. Можаров А.М. Новикова К.Н. Максимова А.А. Баранов А.И. Кавеев А.К. Павлов А.В. Минив Д.В. Устименко Р.В. Винниченко М.Я. Мухин И.С.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 48
  • 4319
  • Страницы: 9-21

Влияние кратковременного нагрева на морфологию микроструктур AlF3

Физическое материаловедение
Даутов А.М. Федоров В.В. Котляр К.П. Лендяшова В.В. Шугабаев Т. Гридчин В.О. Штром И.В. Сибирев Н.В.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 610
  • Страницы: 283-286

Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
Шугуров К. Ю. Можаров А.М. Кавеев А.К. Федоров В.В.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4
  • 18
  • 751
  • Страницы: 9-20

Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si

Физика конденсированного состояния
Шугуров К. Ю. Можаров А.М. Кавеев А.К. Федоров В.В.
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1
  • 13
  • 307
  • Страницы: 9-18