Последние выпуски
Федоров Владимир Викторович
Место работы
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Публикации
Orcid ID
0000-0001-5547-9387Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 42
- 4904
- Страницы: 14-19
Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs (P)/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 35
- 5135
- Страницы: 101-107
Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 15
- 4692
- Страницы: 130-136
Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3
- 216
- 5510
- Страницы: 29-38
Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 61
- 3979
- Страницы: 113-118
Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 21
- 3756
- Страницы: 125-130
Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 21
- 3739
- Страницы: 143-148
Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 26
- 5151
- Страницы: 38-46
Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 15
- 3386
- Страницы: 34-37
Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 47
- 4652
- Страницы: 120-133
Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP (NAs) на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 33
- 4123
- Страницы: 25-35
Формирование разбавленных нитридных нитевидных нанокристаллов InAs1-хNх по типу ядро-оболочка на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 4
- 22
- 4173
- Страницы: 88-97
Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 22
- 4330
- Страницы: 40-45
Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 14
- 4058
- Страницы: 77-82
Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 54
- 4576
- Страницы: 9-21
Влияние кратковременного нагрева на морфологию микроструктур AlF3
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 5
- 810
- Страницы: 283-286
Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4
- 22
- 959
- Страницы: 9-20
Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1
- 17
- 523
- Страницы: 9-18
Влияние буферного слоя на механическую прочность интерфейса нанопровод-подложка
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 1
- 207
- Страницы: 75-80

