Последние выпуски
Федоров Владимир Викторович
Место работы
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Публикации
Orcid ID
0000-0001-5547-9387Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 43
- 5315
- Страницы: 14-19
Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs (P)/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 36
- 5546
- Страницы: 101-107
Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 16
- 5142
- Страницы: 130-136
Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3
- 217
- 5935
- Страницы: 29-38
Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 62
- 4414
- Страницы: 113-118
Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 23
- 4155
- Страницы: 125-130
Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 22
- 4210
- Страницы: 143-148
Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 28
- 5582
- Страницы: 38-46
Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 16
- 3833
- Страницы: 34-37
Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 50
- 5130
- Страницы: 120-133
Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP (NAs) на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 34
- 4576
- Страницы: 25-35
Формирование разбавленных нитридных нитевидных нанокристаллов InAs1-хNх по типу ядро-оболочка на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 4
- 24
- 4666
- Страницы: 88-97
Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 25
- 4790
- Страницы: 40-45
Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 15
- 4477
- Страницы: 77-82
Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 55
- 5056
- Страницы: 9-21
Влияние кратковременного нагрева на морфологию микроструктур AlF3
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 8
- 1239
- Страницы: 283-286
Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4
- 23
- 1428
- Страницы: 9-20
Влияние буферного слоя на механическую прочность интерфейса нанопровод-подложка
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 7
- 655
- Страницы: 75-80
Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1
- 24
- 1050
- Страницы: 9-18

