Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках
Авторы:
Аннотация:
В работе представлены результаты численного моделирования работы гетероструктурных диодов на основе массива нитевидных нанокристаллов арсенида индия (InAs) на кремниевых подложках, обладающих разными полярностями, а именно – n- и p-типов. Установлено, что в этих случаях удается достичь теоретических значений коэффициента идеальности, равных 1,1 и 2,1, соответственно. Для исследованных гетероструктур в температурном диапазоне 150 – 300 K характерны высокие значения квантовой эффективности при разделении фотогенерированных носителей заряда.