Фирсов Дмитрий Анатольевич
  • Должность
    Профессор
  • Место работы
    Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
  • Ученая степень
    доктор физико-математических наук
  • Ученое звание
    профессор
  • ул. Политехническая д. 29, Санкт-Петербург, 195251
  • 2 уч. корпус
    ауд. 210
  • Биография
  • Публикации

Области экспертизы: физика полупроводников и наноструктур, фотоника.

Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs / GaSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 641
  • 6929
  • Страницы: 15-21

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)

Конференции
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 68
  • 5890
  • Страницы: 123-132

Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 5767
  • Страницы: 9-15

Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 6029
  • Страницы: 9-15

Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 426
  • 6397
  • Страницы: 109-114

Исследование оптических свойств фотодитазина для расширения возможностей фотодинамической терапии

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2014
  • Выпуск: 3
  • 16
  • 6172
  • Страницы: 110-117

Цифровая система визуализации флуоресценции для антибактериальной фотодинамической терапии в стоматологии

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2015
  • Выпуск: 4
  • 409
  • 6271
  • Страницы: 77-83

Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Конференции
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 242
  • 5989
  • Страницы: 98-108

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 87
  • 5907
  • Страницы: 56-65

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 113
  • 5868
  • Страницы: 66-76

Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AIGaN/CaN

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5700
  • Страницы: 25-30

Лазерные диоды для фотодинамической терапии

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6016
  • Страницы: 80-84

Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 77
  • 1983
  • Страницы: 32-43

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 30
  • 1278
  • Страницы: 14-19

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 15
  • 1307
  • Страницы: 101-107