Последние выпуски
Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 4
- 87
- 6738
- Страницы: 32-43
Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 4796
- Страницы: 68-76
Гетероструктуры со сверхтонкими метаморфными буферными слоями InxGa1−xAs/GaAs (001) и КТ InAs/InGaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 12
- 768
- Страницы: 39-44

