Последние выпуски
Махов Иван Сергеевич
Место работы
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербургский филиал
Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении
- Год: 2013
- Выпуск: 4
- 430
- 10017
- Страницы: 109-114
Примесная терагерцовая люминесценция в наноструктурах с квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 88
- 9554
- Страницы: 56-65
Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 116
- 9671
- Страницы: 66-76
Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 6138
- Страницы: 167-170
Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 5731
- Страницы: 260-264
Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 4
- 86
- 6208
- Страницы: 32-43
Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 34
- 5438
- Страницы: 22-27
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 48
- 5337
- Страницы: 114-120
Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 26
- 4868
- Страницы: 157-162
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 19
- 4442
- Страницы: 64-68
Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 4235
- Страницы: 68-76
Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 43
- 4296
- Страницы: 105-112
Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 15
- 3259
- Страницы: 38-42
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 3219
- Страницы: 79-83
Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si (111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 10
- 798
- Страницы: 19-22
Фотолюминесценция короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InAlAs, выращенных на InP подложке
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 729
- Страницы: 95-98
Микродисковые лазеры с мостиковой контактной площадкой, сформированной методом мокрого химического травления
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 2
- 719
- Страницы: 24-28
Инжекционные торцевые микролазеры с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 5
- 670
- Страницы: 29-32
Спектральный состав излучения микролазера, сопряженного с волноводом
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 2
- 636
- Страницы: 200-204
Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 1
- 73
- Страницы: 98-104

