Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками

В данной работе исследованы особенности реализации двухуровневой лазерной генерации в инжекционных микролазерах с активной областью на основе самоорганизованных InAs/GaAs квантовых точек. В спектрах спонтанной электролюминесценции обнаружены полосы излучения, связанные с оптическими электрон-дырочными переходами через основное и возбужденные состояния квантовых точек. Обнаружен спад пороговых токов для лазерной генерации через основное и первое возбужденное состояния квантовых точек при уменьшении диаметра микродискового лазера. Исследованные температурные зависимости пороговых токов двухуровневой генерации в микролазерах демонстрируют возможность реализации двухуровневой генерации в InAs/GaAs квантовых точках вплоть до 90–100 °С.