Оптически управляемый мемристор на основе пленки ZrO2(Y) с наночастицами Au

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Авторы:
Рябова Маргарита Артуровна Филатов Дмитрий Олегович Новиков Алексей Сергеевич Шенина Мария Евгеньевна Антонов Иван Николаевич Котомина Валентина Евгеньевна Лискин Дмитрий Александрович Ершов Алексей Валентинович Горшков Олег Николаевич
Аннотация:

Получены и исследованы лабораторные макеты оптически переключаемых мемристоров на основе плёнок ZrO2(Y) (12% мол. Y2O3) толщиной 20 нм с массивами наночастиц (НЧ) Au диаметром 2–3 нм, сформированными методом послойного магнетронного осаждения с последующим отжигом. Обнаружено смещение напряжений переключения мемристора между высокоомным и низкоомным состояниями при
фотовозбуждении на длине волны 650 нм, соответствующей плазмонному резонансу в НЧ Au. Обнаруженный эффект связан с заряжением НЧ Au вследствие внутренней фотоэмиссии электронов из НЧ в матрицу ZrO2(Y), усиленной плазмонным резонансом, что приводит к перераспределению электрического поля вблизи НЧ и, как следствие, стимулирует переключение мемристора.