НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "мемристор"

    Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si

    Физика конденсированного состояния
    Шугуров К. Ю. Можаров А.М.Кавеев А.К.Федоров В.В.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1
    • 16
    • 405
    • Страницы: 9-18

    Мемристорный эффект в гидротермальных структурах ZnO

    Физическое материаловедение
    Кадинская С.А.Кондратьев В.М.Николаева А.В.Шаров В.А.Большаков А.Д.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 6
    • 652
    • Страницы: 253-257

    Механизм переключения сопротивления в нефиламентном запоминающим устройстве из металлогалогенидного перовскита

    Физика конденсированного состояния
    Махмудпур А.Алексеев П.А.Фурасова А.Д.Макаров С.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 12
    • 707
    • Страницы: 16-23

    Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Шугуров К. Ю. Можаров А.М.Кавеев А.К.Федоров В.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4
    • 20
    • 836
    • Страницы: 9-20

    Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Чэн Ю.Камаев Г.Н.Попов А.А.Володин В.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 9
    • 3910
    • Страницы: 134-139

    Оптически управляемый мемристор на основе пленки ZrO2(Y) с наночастицами Au

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Рябова М.А.Филатов Д.О.Новиков А.С.Шенина М.Е.Антонов И.Н.Котомина В.Е.Лискин Д.А.Ершов А.В.Горшков О.Н.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 38
    • 5406
    • Страницы: 151-156

    Многоуровневое резистивное переключение в forming-free нанокристаллических пленках ZnO для нейроморфных приложений

    Физическое материаловедение
    Томинов Р.В.Шиховцов И.А.Хахулин Д.А.Вакулов З.Е.Смирнов В.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 19
    • 5251
    • Страницы: 247-252