Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

В данной работе представлены результаты экспериментальных исследований формирования квантовых точек InAs/GaAs при осаждении докритических толщин (для механизма Странского-Крастанова) на подложках с развитой (структурированной) поверхностью, полученной с использованием двух различных способов: локального капельного травления и модифицированного удаления собственного окисла. Показано, что оба способа позволяют in situ формировать на поверхности наноразмерные углубления, но с существенной разницей в их форме и плотности. Также показана возможность формирования самоорганизующихся наноструктур на структурированных поверхностях в докритических режимах с высокой степенью локализации и без сопутствующего образования смачивающего слоя. Кроме того, показано, что характер углублений на структурированной поверхности (форма, размер, плотность) оказывает ключевое влияние как на процессы нуклеации и роста наноструктур, так и на их оптические свойства, что также необходимо учитывать при разработке методик создания гетероструктур с регулярными массивами квантовых точек.