Последние выпуски
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 5975
- Страницы: 31-35
Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 33
- 5483
- Страницы: 163-166
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 32
- 5786
- Страницы: 311-314
Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 30
- 5582
- Страницы: 371-375
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 26
- 5042
- Страницы: 153-157
Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 35
- 5108
- Страницы: 108-113
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 48
- 5337
- Страницы: 114-120
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 68
- 5657
- Страницы: 179-184
Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре
- Год: 2026
- Том: 19
- Выпуск: 1.1
- 1
- 73
- Страницы: 98-104

