Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии были синтезированы AlGaAs нитевидные нанокристаллы с InAs квантовыми точками на поверхности кремния. Были исследованы морфологические и оптические свойства  выращенных наноструктур. Важно отметить, что излучение из квантовых точек наблюдается в диапазоне длин волн от 780 до 970 нм. Сформулированы предположения о природе коротковолнового излучения  квантовых точек. В частности, одной из причин может являться высокий уровень десорбции атомов индия и присутствие атомов галлия в каплях катализатора в процессе роста при температуре подложки 510 °С.  Таким образом, наша работа открывает новые перспективы для интеграции прямозонных полупроводников с кремниевой пластиной.