Последние выпуски
Сошников Илья Петрович
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 26
- 5048
- Страницы: 153-157
Влияние концентрации Al на пироэлектрические свойства твердых растворов AlGaInP2
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 7
- 735
- Страницы: 53-56
Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4.1
- 8
- 620
- Страницы: 62-66

