Последние выпуски
- 2026, Том 19 Выпуск 1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 32
- 5348
- Страницы: 75-79
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 5642
- Страницы: 31-35
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 38
- 5576
- Страницы: 281-284
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 32
- 5482
- Страницы: 311-314
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 25
- 4737
- Страницы: 153-157
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 48
- 5031
- Страницы: 114-120
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 66
- 5332
- Страницы: 179-184
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 4042
- Страницы: 289-293
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 13
- 4249
- Страницы: 255-260
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 30
- 5082
- Страницы: 341-345
Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 18
- 3045
- Страницы: 306-309
Рост нитевидных нанокристаллов GaN с вставками InN с помощью МПЭ-ПА
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 2
- 403
- Страницы: 139-142
Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 5
- 457
- Страницы: 148-151
Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 4
- 403
- Страницы: 278-282
Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4.1
- 2
- 292
- Страницы: 62-66