Последние выпуски
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 35
- 6210
- Страницы: 75-79
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 16
- 4864
- Страницы: 289-293
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 31
- 5867
- Страницы: 341-345
Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 10
- 1328
- Страницы: 148-151
Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111)
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 6
- 1243
- Страницы: 152-155
Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4.1
- 12
- 1218
- Страницы: 62-66

