НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Гридчин Владислав Олегович
Подать статью
Последние выпуски
Гридчин Владислав Олегович

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Убыйвовк Е.В. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 17
  • 957
  • Страницы: 31-35

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Баранов А.И. Максимова А.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 16
  • 993
  • Страницы: 281-284

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
Гридчин В.О. Резник Р.Р. Котляр К.П. Шугабаев Т.М. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 14
  • 945
  • Страницы: 311-314

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Самсоненко Ю.Б. Сошников И.П. Хребтов А.И. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 497
  • Страницы: 153-157

Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

Физическая оптика
Комаров С.Д. Гридчин В.О. Лендяшова В.В. Котляр К.П. Резник Р.Р. Дворецкая Н.В. Драгунова А.С. Махов И.С. Надточий А.М. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э. Жуков А.Е.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 11
  • 480
  • Страницы: 114-120

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Резник Р.Р. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Максимова А.А. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 11
  • 466
  • Страницы: 179-184