Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
Авторы:
Бондаренко Дарья Н. Гридчин Владислав Олегович Котляр Константин Павлович Баранов Артем Игоревич Максимова Алина Андреевна Резник Родион Романович Цырлин Георгий Эрнстович
Аннотация:

В данной работе представлен подход к синтезу светоизлучающей структуры на основе нитевидных нанокристаллов GaN с объемными вставками структуры «coreshell » InGaN с высоким содержанием индия. Изучение электрических свойств показывает типичную диодную зависимость. Полученные результаты могут внести весомый вклад для разработки светоизлучающих диодов на кремниевых подложках.