НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "молекулярно-пучковая эпитаксия"

    Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Бабичев А.В.Ковач Я.Н.Драгунова А.С.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Задиранов Ю.М.Салий Ю.А.Кулагина М.М.Бобров М.A.Васильев А.П.Блохин С.А.Малеев Н.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Егоров А.Ю.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 12
    • 836
    • Страницы: 98-104

    Гетероструктуры со сверхтонкими метаморфными буферными слоями InxGa1−xAs/GaAs(001) и КТ InAs/InGaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Лакунцова О.Е.Климко Г.В.Седова И.В.Мясоедов Александр ВладимировичСеменов А.Прасолов Н.Д.Сорокин С.В.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 13
    • 901
    • Страницы: 39-44

    Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине

    Физика конденсированного состояния
    Сибирев Н.В.Илькив И.В.Убыйвовк Е.В.Сошников И.П.Штром И.В.Резник Р.Р.Брюханова В.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 12
    • 1334
    • Страницы: 62-66

    Две полосы в спектре фотолюминесценции от сверхрешетки InGaN/GaN, заключенной в нитевидный нанокристал GaN

    Физика конденсированного состояния
    Субботина Е.А.Субботина А.С.Серов А.Ю.Философов Н.Г.Гридчин В.О.Сибирев Н.В.Цырлин Г.Э.Штром И.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 8
    • 1364
    • Страницы: 44-48

    Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя

    Физическая электроника
    Баранцев О.В.Василькова Е.И.Пирогов Е.В.Дементьев П.А.Неведомский В.Н.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Соболев М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 15
    • 1386
    • Страницы: 172-177

    Определение длины сверхструктуры 2×N при синтезе Ge на Si(001) при разных температурах

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Кукенов О.И.Дирко В.В.Лозовой К.А.Майер К.А.Коханенко А.П.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 7
    • 1302
    • Страницы: 91-95

    Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Харченко А.А.Даутов А.М.Кузнецов А.Лендяшова В.В.Крыжановская Н.В.Резник Р.Р.Гридчин В.О.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 13
    • 1451
    • Страницы: 278-282

    Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Лендяшова В.В.Котляр К.П.Хребтов А.И.Цырлин Г.Э.Илькив И.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 7
    • 1361
    • Страницы: 152-155

    Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Андреева А.С.Илькив И.В.Котляр К.П.Хребтов А.И.Гридчин В.О.Цырлин Г.Э.Резник Р.Р.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 1447
    • Страницы: 148-151

    Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Голтаев А. С.Федина С.В.Федоров В.В.Можаров А.М.Новикова К.Н.Максимова А.А.Баранов А.И.Кавеев А.К.Павлов А.В.Минив Д.В.Устименко Р.В.Винниченко М.Я.Мухин И.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 2
    • 56
    • 5209
    • Страницы: 9-21

    Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Гладышев А.Г.Андрюшкин В.В.Ковач Я.Н.Бабичев А.В.Воропаев К.О.Егоров А.Ю.Карачинский Л.Я.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 28
    • 4614
    • Страницы: 117-121

    Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

    Физическое материаловедение
    Никитина Е.В.Шубина К.Ю.Соболев М.С.Пирогов Е.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 21
    • 3660
    • Страницы: 275-278

    Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

    Физическая электроника
    Баранцев О.В.Василькова Е.И.Пирогов Е.В.Шубина К.Ю.Баранов А.И.Воропаев К.О.Васильев А.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Соболев М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 29
    • 3577
    • Страницы: 182-186

    Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Кукенов О.И.Дирко В.В.Лозовой К.А.Коханенко А.П.Войцеховский А.В.Майер К.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 14
    • 3544
    • Страницы: 139-142

    Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде

    Математическое моделирование физических процессов
    Новикова К.Н.Фунтикова А.С.Можаров А.М.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 24
    • 3579
    • Страницы: 84-87

    Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Гридчин В.О.Кузнецов А.Кулагина А.С.Хребтов А.И.Лендяшова В.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 19
    • 4035
    • Страницы: 306-309

    Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

    Физическая оптика
    Бабичев А.В.Папылев Д.С.Комаров С.Д.Крыжановская Н.В.Блохин С.А.Неведомский В.Н.Гладышев А.Г.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Егоров А.Ю.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 25
    • 4024
    • Страницы: 233-237

    Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

    Физическое материаловедение
    Федоров В.В.Федина С.В.Кавеев А.К.Кириленко Д.А.Фалеев Н. Н.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 2
    • 50
    • 5273
    • Страницы: 120-133

    Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Илькив И.В.Котляр К.П.Осипов А.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 16
    • 4991
    • Страницы: 289-293

    Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Резник Р.Р.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Максимова А.А.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 69
    • 6336
    • Страницы: 179-184

    Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния

    Физическая оптика
    Андрюшкин В.В.Блохин С.А.Бобров М.A.Блохин А.А.Бабичев А.В.Гладышев А.Г.Новиков И.И.Карачинский Л.Я.Колодезный Е.С.Воропаев К.О.Егоров А.Ю.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 29
    • 5834
    • Страницы: 153-159

    Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

    Приборы и техника физического эксперимента
    Рочас С.С.Блохин С.А.Бабичев А.В.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Блохин А.А.Бобров М.A.Малеев Н.А.Андрюшкин В.В.Бугров В.Е.Гладышев А.Г.Мельниченко И.А.Воропаев К.О.Жумаева И.О.Устинов В.М.Ли Х.Тиан С.Хан С.Сапунов Г.А.Егоров А.Ю.Бимберг Д.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 48
    • 6075
    • Страницы: 456-462

    Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Илькив И.В.Котляр К.П.Кириленко Д.А.Шаров В.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 31
    • 5988
    • Страницы: 341-345

    Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

    Физика конденсированного состояния
    Резник Р.Р.Гридчин В.О.Котляр К.П.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Самсоненко Ю.Б.Сошников И.П.Хребтов А.И.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 27
    • 5692
    • Страницы: 153-157

    Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

    Физическое материаловедение
    Гридчин В.О.Резник Р.Р.Котляр К.П.Шугабаев Т.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 32
    • 6411
    • Страницы: 311-314

    Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Баранов А.И.Максимова А.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 39
    • 6510
    • Страницы: 281-284

    Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Филатов В.В.Мизеров А.М.Тимошнев С.Н.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 37
    • 6340
    • Страницы: 157-162

    Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Солодовник М.С.Агеев О.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 25
    • 6199
    • Страницы: 54-58

    Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

    Физика конденсированного состояния
    Резник Р.Р.Гридчин В.О.Котляр К.П.Убыйвовк Е.В.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 26
    • 6664
    • Страницы: 31-35

    Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Лендяшова В.В.Илькив И.В.Бородин Б.Р.Убыйвовк Е.В.Резник Р.Р.Талалаев В.Г.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 36
    • 6333
    • Страницы: 75-79