Статьи по ключевому слову "молекулярно-пучковая эпитаксия"
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 5
- 474
- Страницы: 289-293
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 33
- 1220
- Страницы: 179-184
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 9
- 1096
- Страницы: 153-159
Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 28
- 1136
- Страницы: 456-462
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 17
- 1235
- Страницы: 341-345
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 14
- 1111
- Страницы: 153-157
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 19
- 1571
- Страницы: 311-314
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 19
- 1613
- Страницы: 281-284
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 14
- 1645
- Страницы: 157-162
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 19
- 1579
- Страницы: 54-58
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 20
- 1595
- Страницы: 31-35
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 20
- 1615
- Страницы: 75-79