Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Авторы:
Аннотация:

Создание композитного материала с встроенными квантовыми точками А3В5 представляет интерес для разработки светоизлучающих устройств на кремнии. В данной работе представлены результаты по синтезу методом молекулярно-пучковой эпитаксии самоиндуцированных квантовых точек InAs на подложках Si и их последующему заращиванию слоем кремния. Эволюция размеров, плотности и формы КТ исследовалась методом атомно-силовой микроскопии. Обнаружено, что при субмонослойном покрытии InAs наблюдается бимодальное распределение КТ по размерам. Полное внедрение в кремниевую матрицу и бездислокационная кристаллическая структура КТ InAs подтверждены данными просвечивающей электронной микроскопии.