Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

В настоящей работе исследованы процессы формирования германия на поверхности GaN нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрирована возможность формирования Ge  островков размером 6–10 нм на боковых гранях GaN нитевидных нанокристаллов и создания гетероструктур на их основе. С помощью спектроскопии комбинационного рассеивания показано, что формирование GaN покровного слоя приводит к формированию упругих напряжений в Ge квантовых точках.