Влияние динамических и температурных неоднородностей на эпитаксиальные процессы в горизонтальном CVD-реакторе

Для исследования влияния температурных и скоростных неоднородностей на входе в реактор на распределение скорости роста на подложкодержателе было проведено численное моделирование потока в горизонтальном CVD-реакторе. Было получено, что неоднородность скорости может достигать 60%, и это может значительно повлиять на распределение скорости роста на подложкодержателе. Для моделирования температурных неоднородностей распределение температуры на входе в реактор задавалось отдельно для нижнего и основного входа. Температурная неоднородность на нижнем входе влияет на распределение  скорости роста более сильно, чем на основном входе. Это влияние довольно сильное и должно учитываться для точного моделирования течения и процессов роста в подобных горизонтальных CVD-реакторах.