Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ
Авторы:
Аннотация:
В работе по картинам дифракции в направлении [100] проведено сравнение ширины террас Ge и Si на Si (100) при температурах в диапазоне от 200 °C до 800 °C. Установлены температуры, при которых происходит смена механизмов роста формирования моноатомных ступеней Ge на Si (100).