Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

Приборы и техника физического эксперимента
Авторы:
Жумаева Ирина Устинов Виктор Михайлович Ли Хуи Рочас Станислав Станиславович Тиан Сикон Блохин Сергей Анатольевич Хан Саю Бабичев Андрей Владимирович Сапунов Георгий Карачинский Леонид Яковлевич Егоров Антон Юрьевич Новиков Иннокентий Игоревич Бимберг Диетер Блохин Алексей Анатольевич Бобров Михаил Александрович Малеев Николай Андрюшкин Владислав Васильевич Бугров Владислав Гладышев Андрей Геннадьевич Мельниченко Иван Алексеевич Воропаев Кирилл Олегович
Аннотация:

Были изготовлены высокоскоростные вертикально излучающие лазеры (ВИЛ) спектрального диапазона 1550 нм на основе 10 напряженных In(Al)GaAs КЯ с использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии и  двойного прямого молекулярного спекания эпитаксиальных пластин. Приборы демонстрируют пороговый ток 2 мА и максимальную выходную оптическую мощность 4,8 мВт. Эффект насыщающегося поглотителя  наблюдался при температуре выше 50 °С. Малосигнальный анализ показал значения ширины полосы модуляции f-3dB и резонансной частоты fR 8 ГГц и 12 ГГц, соответственно. Была продемонстрирована скорость  передачи данных до 20 Гбит/с в режиме NRZ при 20 °C на расстояние 1000 метров.