Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Ерёменко Михаил Михайлович Балакирев Сергей Вячеславович Черненко Наталия Евгеньевна Шандыба Никита Андреевич Солодовник Максим Сергеевич Агеев Олег Алексеевич
Аннотация:

В данной работе исследовалось влияние температуры предростового отжига на эпитаксиальный рост GaAs на модифицированных участках Si. Показано, что повышение температуры отжига от 600 до 800 °C приводит к снижению селективности эпитаксиального роста GaAs, а также к переходу от двумерного роста к росту нитевидных нанокристаллов.