НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторЕрёменко Михаил Михайлович
    Подать статью
    Последние выпуски
    Ерёменко Михаил Михайлович
    Ерёменко Михаил Михайлович

    Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si (111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 16
    • 6128
    • Страницы: 36-41

    Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью

    Физика конденсированного состояния
    Балакирев С.В.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 13
    • 6337
    • Страницы: 42-47

    Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

    Физика конденсированного состояния
    Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Шандыба Н.А.Балакирев С.В.Ерёменко М.М.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 21
    • 6063
    • Страницы: 48-53

    Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Солодовник М.С.Агеев О.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 24
    • 5956
    • Страницы: 54-58

    Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

    Физика конденсированного состояния
    Никитина Л.С.Лахина Е.А.Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Солодовник М.С.Агеев О.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 23
    • 5991
    • Страницы: 59-63

    Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка

    Физическое материаловедение
    Балакирев С.В.Лахина Е.А.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 19
    • 6060
    • Страницы: 315-319

    Влияние плазмохимической обработки подложек Si (001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Никитина Л.С.Житяева Ю.Ю.Лахина Е.А.Климин В.С.Агеев О.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 4977
    • Страницы: 122-127

    Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si (111)

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Шаров В.А.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 3608
    • Страницы: 28-33

    Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Шандыба Н.А.Черненко Н.Е.Житяева Ю.Ю.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 16
    • 3532
    • Страницы: 75-78

    Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si (111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Духан Д.Д.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Кугаевский А.Д.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 11
    • 1236
    • Страницы: 19-22

    Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Шандыба Н.А.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 6
    • 1115
    • Страницы: 57-59

    Формирование упорядоченных квантовых точек InAs на структурированных поверхностях GaAs (111)B

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Кириченко Д.В.Духан Д.Д.Ерёменко М.М.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 6
    • 1145
    • Страницы: 115-118