Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

В работе представлены результаты экспериментальных исследований роста нитевлияния ионно-лучевой обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs. Выявлено резкое различие между нитевидными нанокристаллами, сформированными на модифицированных и немодифицированных участках подложки Si. Показано, что изменение дозы имплантации ионов Ga с 52 фКл/ мкм² до 1×10⁴ фКл/мкм² позволяет варьировать параметры (плотность, диаметр, длину и ориентацию относительно подложки) массива нитевидных нанокристаллов в широком диапазоне условий в едином технологическом цикле. Представлены основные закономерности, которые отображают нелинейную зависимость параметров сформированных структур от дозы имплантации ионов.