Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
Авторы:
Аннотация:
В данной статье демонстрируется новая методика, позволяющая получать квантовые точки InAs/GaAs малого размера с низкой поверхностной плотностью в процессе капельной эпитаксии. Особенность подхода заключается во введении дополнительной стадии экспозиции капель в ультрамалом потоке мышьяка, которая позволяет обеспечить частичный диффузионный распад капель с большим исходным размером при сохранении их исходной поверхностной плотности, после чего на стадиях кристаллизации и отжига капли In преобразуются в однородные массивы квантовых точек InAs с диаметром менее 30 нм и поверхностной плотностью менее 108 см-2.