Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
Авторы:
Аннотация:
В данной работе представлены результаты экспериментальных исследования влияния сочетания модификации поверхности GaAs(001) методом фокусированных ионных пучков (ФИП) и последующей предростовой обработки на основе техники локального капельного травления на процессы формирования упорядоченных массивов углублений с целью их использования в дальнейшем для селективного роста квантовых точек. Представлены результаты исследований режимов в рамках используемого подхода на размеры и форму формируемых углублений. С помощью рамановской спектроскопии показано, что капельное травление позволяет практически полностью восстановить кристаллическую структуру подложки в области ФИП-модификации.