НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "арсенид галлия"

    Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Бабичев А.В.Ковач Я.Н.Драгунова А.С.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Задиранов Ю.М.Салий Ю.А.Кулагина М.М.Бобров М.A.Васильев А.П.Блохин С.А.Малеев Н.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Егоров А.Ю.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 12
    • 836
    • Страницы: 98-104

    Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кавокин К.В.Кузнецова М.С.Литвяк В.М.Бажин П.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 63
    • 5272
    • Страницы: 6-10

    Численная оптимизация полупроводниковой волноводной структуры

    Математическое моделирование физических процессов
    Костромин Н.А.Дашков А.С.Барыкин Д. А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 14
    • 3441
    • Страницы: 98-102

    Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

    Физическая оптика
    Бабичев А.В.Папылев Д.С.Комаров С.Д.Крыжановская Н.В.Блохин С.А.Неведомский В.Н.Гладышев А.Г.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Егоров А.Ю.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 25
    • 4024
    • Страницы: 233-237

    Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Шаров В.А.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 21
    • 3847
    • Страницы: 28-33

    Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Адамов Р.Б.Мелентьев Г.А.Подоскин А.А.Слипченко С.О.Седова И.В.Сорокин С.В.Махов И.С.Фирсов Д.А.Шалыгин В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 27
    • 4916
    • Страницы: 68-76

    Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кузнецова М.С.Кавокин К.В.Джиоев Р.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 40
    • 4711
    • Страницы: 31-36

    Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

    Объемные свойства полупроводников
    Здоровейщев Д.А.Вихрова О.В.Данилов Ю.А.Дудин Ю.А.Здоровейщев А.В.Парафин А.Е.Дроздов М.Н.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 22
    • 4995
    • Страницы: 20-24

    Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

    Физическая оптика
    Бабичев А.В.Надточий А.М.Ткач Ю.С.Крыжановская Н.В.Блохин С.А.Неведомский В.Н.Гладышев А.Г.Малеев Н.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 23
    • 5676
    • Страницы: 50-55

    Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Шаров В.А.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 18
    • 5427
    • Страницы: 79-83

    Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек

    Физика конденсированного состояния
    Лахина Е.А.Шандыба Н.А.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 40
    • 5982
    • Страницы: 53-58

    Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

    Объемные свойства полупроводников
    Петрук А.Д.Харин Н.Ю.Винниченко М.Я.Норватов И.А.Федоров В.В.Фирсов Д.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 43
    • 5435
    • Страницы: 14-19

    Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Солодовник М.С.Агеев О.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 25
    • 6199
    • Страницы: 54-58

    Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 16
    • 6376
    • Страницы: 36-41