Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек

В работе представлены результаты экспериментальных исследований процессов локального травления поверхности GaAs(001) каплями Ga при различных технологических режимах. Впервые на поверхности GaAs с ориентацией (001) получены симметричные наноуглубления пирамидальной формы с низкой поверхностной плотностью (~ 1·10⁸ см^‒2 и ниже), позволяющие обеспечить дальнейшее формирование в них одиночных квантовых точек для высокоэффективных устройств квантовой фотоники.