НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "эпитаксия"

    Микролазеры на основе квази-планарной геометрии, работающие при комнатной температуре

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Бабичев А.В.Ковач Я.Н.Драгунова А.С.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Задиранов Ю.М.Салий Ю.А.Кулагина М.М.Бобров М.A.Васильев А.П.Блохин С.А.Малеев Н.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Егоров А.Ю.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 0
    • 36
    • Страницы: 98-104

    Гетероструктуры со сверхтонкими метаморфными буферными слоями InxGa1−xAs/GaAs(001) и КТ InAs/InGaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Лакунцова О.Е.Климко Г.В.Седова И.В.Мясоедов Александр ВладимировичСеменов А.Прасолов Н.Д.Сорокин С.В.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 0
    • 34
    • Страницы: 39-44

    Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине

    Физика конденсированного состояния
    Сибирев Н.В.Илькив И.В.Убыйвовк Е.В.Сошников И.П.Штром И.В.Резник Р.Р.Брюханова В.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 8
    • 594
    • Страницы: 62-66

    Две полосы в спектре фотолюминесценции от сверхрешетки InGaN/GaN, заключенной в нитевидный нанокристал GaN

    Физика конденсированного состояния
    Субботина Е.А.Субботина А.С.Серов А.Ю.Философов Н.Г.Гридчин В.О.Сибирев Н.В.Цырлин Г.Э.Штром И.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4.1
    • 3
    • 597
    • Страницы: 44-48

    Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя

    Физическая электроника
    Баранцев О.В.Василькова Е.И.Пирогов Е.В.Дементьев П.А.Неведомский В.Н.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Соболев М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 10
    • 681
    • Страницы: 172-177

    Формирование упорядоченных квантовых точек InAs на структурированных поверхностях GaAs(111)B

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Кириченко Д.В.Духан Д.Д.Ерёменко М.М.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 5
    • 704
    • Страницы: 115-118

    Определение длины сверхструктуры 2×N при синтезе Ge на Si(001) при разных температурах

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Кукенов О.И.Дирко В.В.Лозовой К.А.Майер К.А.Коханенко А.П.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 4
    • 642
    • Страницы: 91-95

    Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Шандыба Н.А.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 4
    • 663
    • Страницы: 57-59

    Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Харченко А.А.Даутов А.М.Кузнецов А.Лендяшова В.В.Крыжановская Н.В.Резник Р.Р.Гридчин В.О.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 4
    • 679
    • Страницы: 278-282

    Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Лендяшова В.В.Котляр К.П.Хребтов А.И.Цырлин Г.Э.Илькив И.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 4
    • 681
    • Страницы: 152-155

    Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Андреева А.С.Илькив И.В.Котляр К.П.Хребтов А.И.Гридчин В.О.Цырлин Г.Э.Резник Р.Р.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 6
    • 722
    • Страницы: 148-151

    Фотодетектор на основе кремния с контактным слоем Mg2Si для коротковолнового ИК диапазона

    Физика конденсированного состояния
    Чернев И.М.Субботин Е.Ю.Козлов А.Г.Синотова С.А.Приходченко А.В.Лембиков А.О.Прокопьева Г.А.Горошко Д.Л.Галкин Н.Г.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 4
    • 709
    • Страницы: 53-58

    Влияние режима роста на транспортные свойства легированных плёнок Mg2Si

    Физика конденсированного состояния
    Субботин Е.Ю.Удилов А.Д.Прокопьева Г.А.Горошко Д.Л.Козлов А.Г.Чернев И.М.Лисенков О.Е.Хорошилов Д.А.Синотова С.А.Галкин Н.Г.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 6
    • 783
    • Страницы: 40-43

    Синтез нанопроволок типа ядро-оболочка на основе Mg2Si

    Физика конденсированного состояния
    Субботин Е.Ю.Козлов А.Г.Павлов Д.В.Лисенков О.Е.Удилов А.Д.Горошко Д.Л.Поляков М.В.Волкова Л.С.Прокопьева Г.А.Чернев И.М.Хорошилов Д.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 13
    • 710
    • Страницы: 36-39

    Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Духан Д.Д.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Кугаевский А.Д.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 783
    • Страницы: 19-22

    Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Голтаев А. С.Федина С.В.Федоров В.В.Можаров А.М.Новикова К.Н.Максимова А.А.Баранов А.И.Кавеев А.К.Павлов А.В.Минив Д.В.Устименко Р.В.Винниченко М.Я.Мухин И.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 2
    • 52
    • 4422
    • Страницы: 9-21

    Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичПуговкин А.А.Иванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 7
    • 4013
    • Страницы: 140-144

    Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Гладышев А.Г.Андрюшкин В.В.Ковач Я.Н.Бабичев А.В.Воропаев К.О.Егоров А.Ю.Карачинский Л.Я.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 20
    • 3928
    • Страницы: 117-121

    Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Хвостикова О.А.Корниенко П.Д.Хвостиков В.П.Салий Р.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 18
    • 4289
    • Страницы: 17-21

    Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

    Физическое материаловедение
    Никитина Е.В.Шубина К.Ю.Соболев М.С.Пирогов Е.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 16
    • 2940
    • Страницы: 275-278

    Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

    Физическая электроника
    Баранцев О.В.Василькова Е.И.Пирогов Е.В.Шубина К.Ю.Баранов А.И.Воропаев К.О.Васильев А.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Соболев М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 25
    • 2877
    • Страницы: 182-186

    Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Кукенов О.И.Дирко В.В.Лозовой К.А.Коханенко А.П.Войцеховский А.В.Майер К.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 11
    • 2885
    • Страницы: 139-142

    Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде

    Математическое моделирование физических процессов
    Новикова К.Н.Фунтикова А.С.Можаров А.М.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 20
    • 2935
    • Страницы: 84-87

    Температурное поведение квантово-каскадного лазера с селективным кольцевым резонатором, сформированным за счет травления дифракционной решетки с переменной глубиной

    Физика конденсированного состояния
    Папылев Д.С.Колодезный Е.С.Бабичев А.В.Харин Н.Ю.Вознюк Г.В.Митрофанов М.И.Слипченко С.О.Лютецкий А.В.Евтихиев В.П.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Паневин В.Ю.Пихтин Н.А.Егоров А.Ю.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 20
    • 2929
    • Страницы: 71-77

    Синтез Mg2Si на кремниевых кристаллах с различным аспектным соотношением

    Физика конденсированного состояния
    Субботин Е.Ю.Козлов А.Г.Горошко Д.Л.Чернев И.М.Хорошилов Д.А.Лисенков О.Е.Жижченко А.Ю.Китань С.А.Галкин Н.Г.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 25
    • 3034
    • Страницы: 31-35

    Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

    Физическое материаловедение
    Шугабаев Т.Гридчин В.О.Кузнецов А.Кулагина А.С.Хребтов А.И.Лендяшова В.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 18
    • 3350
    • Страницы: 306-309

    Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

    Физическая оптика
    Бабичев А.В.Папылев Д.С.Комаров С.Д.Крыжановская Н.В.Блохин С.А.Неведомский В.Н.Гладышев А.Г.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Егоров А.Ю.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 24
    • 3353
    • Страницы: 233-237

    Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1–xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии

    Математическое моделирование физических процессов
    Духан Д.Д.Балакирев С.В.Волошина Е.Н.Солодовник М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 14
    • 3408
    • Страницы: 100-104

    Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках

    Физика конденсированного состояния
    Кириченко Д.В.Махов И.С.Балакирев С.В.Крыжановская Н.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 3204
    • Страницы: 79-83

    Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Черненко Н.Е.Махов И.С.Мельниченко И.А.Якунина К.Д.Балакирев С.В.Крыжановская Н.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 15
    • 3239
    • Страницы: 38-42

    Управление свойствами и геометрическими характеристиками селективно сформированных нитевидных нанокристаллов GaAs в области обработки ФИП на подложке Si(111)

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Шаров В.А.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 3176
    • Страницы: 28-33

    Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

    Физическое материаловедение
    Федоров В.В.Федина С.В.Кавеев А.К.Кириленко Д.А.Фалеев Н. Н.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 2
    • 47
    • 4508
    • Страницы: 120-133

    Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичИванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 14
    • 3605
    • Страницы: 155-159

    Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Коляда Д.В.Комков О.С.Скворцов И.В.Машанов В.И.Тимофеев В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 50
    • 3689
    • Страницы: 62-67

    Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

    Физическое материаловедение
    Леньшин А.С.Золотухин Д.С.Середин П.В.Мизеров А.М.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 17
    • 4415
    • Страницы: 249-254

    Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

    Физическая оптика
    Бабичев А.В.Надточий А.М.Ткач Ю.С.Крыжановская Н.В.Блохин С.А.Неведомский В.Н.Гладышев А.Г.Малеев Н.А.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 21
    • 4974
    • Страницы: 50-55

    Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Илькив И.В.Котляр К.П.Осипов А.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 15
    • 4332
    • Страницы: 289-293

    Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов

    Математическое моделирование физических процессов
    Духан Д.Д.Балакирев С.В.Волошина Е.Н.Солодовник М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 4669
    • Страницы: 193-197

    Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Никитина Л.С.Житяева Ю.Ю.Лахина Е.А.Климин В.С.Агеев О.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 4547
    • Страницы: 122-127

    Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

    Физика конденсированного состояния
    Кукенов О.И.Соколов А.С.Дирко В.В.Лозовой К.А.Коханенко А.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 4552
    • Страницы: 112-116

    Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства

    Физика конденсированного состояния
    Чернев И.М.Субботин Е.Ю.Аргунов Е.В.Козлов А.Г.Герасименко А.В.Галкин Н.Г.Поляков М.В.Волкова Л.С.Дудин А.А.Гуральник А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 57
    • 5637
    • Страницы: 106-111

    Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Шаров В.А.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 17
    • 4674
    • Страницы: 79-83

    Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности

    Физика конденсированного состояния
    Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 22
    • 4628
    • Страницы: 74-78

    Свойства ультратонких эпитаксиальных пленок нитрида ниобия на сапфире с С–cut ориентацией

    Физика конденсированного состояния
    Шибалов М.В.Сиротина А.П.Першина Е.А.Шибалова А.А.Мумляков А.М.Порохов Н.В.Тархов М.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 4721
    • Страницы: 69-73

    Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

    Физика конденсированного состояния
    Черненко Н.Е.Махов И.С.Балакирев С.В.Кириченко Д.В.Шандыба Н.А.Крыжановская Н.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 19
    • 4426
    • Страницы: 64-68

    Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек

    Физика конденсированного состояния
    Лахина Е.А.Шандыба Н.А.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 38
    • 5226
    • Страницы: 53-58

    Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

    Физика конденсированного состояния
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Соловьёв В.А.Чернов М.Ю.Комков О.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 33
    • 4717
    • Страницы: 47-52

    Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs(001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование

    Физика конденсированного состояния
    Балакирев С.В.Кириченко Д.В.Шандыба Н.А.Черненко Н.Е.Солодовник М.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 20
    • 4681
    • Страницы: 41-46

    Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

    Рост структуры, поверхность и интерфейсы
    Амельчук Д.Г.Мынбаева М.Г.Смирнов А.Н.Давыдов В.Ю.Лебедев С.П.Лебедев А.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 43
    • 5004
    • Страницы: 39-43

    Синтез полуполярного GaN(11-22) на наноструктурированной подложке Si(113)

    Физическое материаловедение
    Бессолов В.Н.Коненкова Е.В.Родин С.Н.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 15
    • 5090
    • Страницы: 224-228

    Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Резник Р.Р.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Максимова А.А.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 68
    • 5641
    • Страницы: 179-184

    Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния

    Физическая оптика
    Андрюшкин В.В.Блохин С.А.Бобров М.A.Блохин А.А.Бабичев А.В.Гладышев А.Г.Новиков И.И.Карачинский Л.Я.Колодезный Е.С.Воропаев К.О.Егоров А.Ю.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 25
    • 5092
    • Страницы: 153-159

    Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

    Приборы и техника физического эксперимента
    Рочас С.С.Блохин С.А.Бабичев А.В.Карачинский Л.Я.Новиков И.И.Блохин А.А.Бобров М.A.Малеев Н.А.Андрюшкин В.В.Бугров В.Е.Гладышев А.Г.Мельниченко И.А.Воропаев К.О.Жумаева И.О.Устинов В.М.Ли Х.Тиан С.Хан С.Сапунов Г.А.Егоров А.Ю.Бимберг Д.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 48
    • 5346
    • Страницы: 456-462

    Наноразмерные слои гексаферрита BaFe12O19, выращенные методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии: рост, кристаллическая структура и магнитные свойства

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Кричевцов Б.Б.Коровин А.М.Сутурин С.М.Соколов Н.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 14
    • 4948
    • Страницы: 363-368

    Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Илькив И.В.Котляр К.П.Кириленко Д.А.Шаров В.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 30
    • 5356
    • Страницы: 341-345

    Влияние динамических и температурных неоднородностей на эпитаксиальные процессы в горизонтальном CVD-реакторе

    Математическое моделирование физических процессов
    Игнатенко В.А.Смирновский А. А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 19
    • 5251
    • Страницы: 336-340

    Формирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова

    Физика конденсированного состояния
    Кавеев А.К.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 20
    • 5046
    • Страницы: 158-161

    Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

    Физика конденсированного состояния
    Резник Р.Р.Гридчин В.О.Котляр К.П.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Самсоненко Ю.Б.Сошников И.П.Хребтов А.И.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 26
    • 5029
    • Страницы: 153-157

    Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка

    Физическое материаловедение
    Балакирев С.В.Лахина Е.А.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 19
    • 5636
    • Страницы: 315-319

    Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

    Физическое материаловедение
    Гридчин В.О.Резник Р.Р.Котляр К.П.Шугабаев Т.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 32
    • 5773
    • Страницы: 311-314

    Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Баранов А.И.Максимова А.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 38
    • 5853
    • Страницы: 281-284

    Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Филатов В.В.Мизеров А.М.Тимошнев С.Н.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 36
    • 5604
    • Страницы: 157-162

    Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

    Физика конденсированного состояния
    Никитина Л.С.Лахина Е.А.Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Солодовник М.С.Агеев О.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 23
    • 5533
    • Страницы: 59-63

    Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Солодовник М.С.Агеев О.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 24
    • 5538
    • Страницы: 54-58

    Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

    Физика конденсированного состояния
    Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Шандыба Н.А.Балакирев С.В.Ерёменко М.М.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 19
    • 5558
    • Страницы: 48-53

    Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью

    Физика конденсированного состояния
    Балакирев С.В.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 13
    • 5894
    • Страницы: 42-47

    Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Кириченко Д.В.Черненко Н.Е.Ерёменко М.М.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 16
    • 5683
    • Страницы: 36-41

    Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

    Физика конденсированного состояния
    Резник Р.Р.Гридчин В.О.Котляр К.П.Убыйвовк Е.В.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 26
    • 5960
    • Страницы: 31-35

    Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

    Физическая электроника
    Казакин А.Н.Эннс Я.Б.Уваров А.В.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 30
    • 5681
    • Страницы: 145-149

    Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Лендяшова В.В.Илькив И.В.Бородин Б.Р.Убыйвовк Е.В.Резник Р.Р.Талалаев В.Г.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 34
    • 5641
    • Страницы: 75-79

    Влияние концентрации алюминия в барьерном слое  на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия

    Физика конденсированного состояния
    Корнышов Г.О.Сахаров А.В.Николаев А.Е.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 4
    • 358
    • 9409
    • Страницы: 31-36

    Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС

    Физика конденсированного состояния
    Чернышева Е.А.Сахаров А.В.Черкашин Н.А.Лундин В.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9144
    • Страницы: 32-36

    Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

    Физика конденсированного состояния
    Мамаев В.В.Сидоров В.Г.Петров С.И.Алексеев А.Н.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 4
    • 1
    • 9130
    • Страницы: 28-31