Статьи по ключевому слову "эпитаксия"
Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 4
- 461
- Страницы: 249-254
Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением
Бабичев А.В.
Надточий А.М.
Ткач Ю.С.
Крыжановская Н.В.
Блохин С.А.
Неведомский В.Н.
Гладышев А.Г.
Малеев Н.А.
Карачинский Л.Я.
Новиков И.И.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 4
- 522
- Страницы: 50-55
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 5
- 585
- Страницы: 289-293
Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 3
- 553
- Страницы: 193-197
Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 5
- 591
- Страницы: 122-127
Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 9
- 638
- Страницы: 112-116
Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства
Чернев И.М.
Субботин Е.Ю.
Аргунов Е.В.
Козлов А.Г.
Герасименко А.В.
Галкин Н.Г.
Поляков М.В.
Волкова Л.С.
Дудин А.А.
Гуральник А.С.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 743
- Страницы: 106-111
Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 4
- 587
- Страницы: 74-78
Свойства ультратонких эпитаксиальных пленок нитрида ниобия на сапфире с С–cut ориентацией
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 1
- 609
- Страницы: 69-73
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
Черненко Н.Е.
Махов И.С.
Балакирев С.В.
Кириченко Д.В.
Шандыба Н.А.
Крыжановская Н.В.
Солодовник М.С.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 6
- 575
- Страницы: 64-68
Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 11
- 664
- Страницы: 53-58
Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 652
- Страницы: 47-52
Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 15
- 1190
- Страницы: 39-43
Синтез полуполярного GaN(11-22) на наноструктурированной подложке Si(113)
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 5
- 1107
- Страницы: 224-228
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Максимова А.А.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 37
- 1345
- Страницы: 179-184
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния
Андрюшкин В.В.
Блохин С.А.
Бобров М.A.
Блохин А.А.
Бабичев А.В.
Гладышев А.Г.
Новиков И.И.
Карачинский Л.Я.
Колодезный Е.С.
Воропаев К.О.
Егоров А.Ю.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 11
- 1178
- Страницы: 153-159
Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ
Рочас С.С.
Блохин С.А.
Бабичев А.В.
Карачинский Л.Я.
Новиков И.И.
Блохин А.А.
Бобров М.A.
Малеев Н.А.
Андрюшкин В.В.
Бугров В.Е.
Гладышев А.Г.
Мельниченко И.А.
Воропаев К.О.
Жумаева И.О.
Устинов В.М.
Ли Х.
Тиан С.
Хан С.
Сапунов Г.А.
Егоров А.Ю.
Бимберг Д.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 28
- 1251
- Страницы: 456-462
Наноразмерные слои гексаферрита BaFe12O19, выращенные методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии: рост, кристаллическая структура и магнитные свойства
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 5
- 1101
- Страницы: 363-368
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 17
- 1345
- Страницы: 341-345
Влияние динамических и температурных неоднородностей на эпитаксиальные процессы в горизонтальном CVD-реакторе
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 10
- 1176
- Страницы: 336-340
Формирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 11
- 1274
- Страницы: 158-161
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
Резник Р.Р.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Самсоненко Ю.Б.
Сошников И.П.
Хребтов А.И.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 14
- 1205
- Страницы: 153-157
Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 12
- 1681
- Страницы: 315-319
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 20
- 1664
- Страницы: 311-314
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 25
- 1713
- Страницы: 281-284
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
Синицкая О.А.
Шубина К.Ю.
Мохов Д.В.
Уваров А.В.
Филатов В.В.
Мизеров А.М.
Тимошнев С.Н.
Никитина Е.В.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 15
- 1735
- Страницы: 157-162
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
Никитина Л.С.
Лахина Е.А.
Ерёменко М.М.
Балакирев С.В.
Черненко Н.Е.
Шандыба Н.А.
Солодовник М.С.
Агеев О.А.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 16
- 1671
- Страницы: 59-63
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 19
- 1665
- Страницы: 54-58
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 11
- 1632
- Страницы: 48-53
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 7
- 1750
- Страницы: 42-47
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 10
- 1640
- Страницы: 36-41
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 1700
- Страницы: 31-35
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 16
- 1704
- Страницы: 145-149
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 20
- 1712
- Страницы: 75-79
Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 5569
- Страницы: 32-36
Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 5427
- Страницы: 28-31