Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
Авторы:
Драгунова Анна Сергеевна Крыжановская Наталья Владимировна Максимова Алина Андреевна Цырлин Георгий Эрнстович Бондаренко Дарья Н. Гридчин Владислав Олегович Котляр Константин Павлович Резник Родион Романович Кириленко Демид Александрович Баранов Артем Игоревич
Аннотация:

Исследован подход к созданию светоизлучающей структуры на основе нитевидных нанокристаллов GaN с объемными вставками структуры «core-shell» InGaN с высоким содержанием индия. Результаты оптических измерений демонстрируют фотолюминесценцию вставок InGaN в зеленом спектре при комнатной температуре. Изучение электрических свойств показывает типичную диодную зависимость. Результаты могут иметь решающее значение для разработки светоизлучающих диодов на кремниевых подложках.