Найти
НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
Редакционная коллегия
Главный редактор
Архив выпусков
Авторам
Меню
Содержание и структура статьи
Оформление статьи
Этика научных публикаций
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Аннотация к статье
Список литературы
Лицензионное соглашение
График выхода журналов
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
Максимова Алина Андреевна
Подать статью
Последние выпуски
2023
,
Том 16
Выпуск 3
Полный текст
2023
,
Том 16
Выпуск 2
Полный текст
2023
,
Том 16
Выпуск 1.3
Полный текст
2023
,
Том 16
Выпуск 1.2
Полный текст
Максимова Алина Андреевна
decodeDefault
Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния
Физическая электроника
Уваров А.В.
Баранов А.И.
Максимова А.А.
Вячеславова Е.А.
Гудовских А.С.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.2
12
1265
Страницы: 150-154
Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства
Физическая электроника
Максимова А.А.
Уваров А.В.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Вячеславова Е.А.
Гудовских А.С.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
12
1350
Страницы: 123-127
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Баранов А.И.
Максимова А.А.
Резник Р.Р.
Цырлин Г.Э.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
17
1200
Страницы: 281-284
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Максимова А.А.
Цырлин Г.Э.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2
19
716
Страницы: 179-184
Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD
Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Кияницын С.Ю.
Баранов А.И.
Уваров А.В.
Максимова А.А.
Вячеславова Е.А.
Гудовских А.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.3
1
589
Страницы: 90-95
Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики
Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Вячеславова Е.А.
Уваров А.В.
Максимова А.А.
Баранов А.И.
Гудовских А.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.3
2
584
Страницы: 176-181
Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур
Физическая электроника
Вячеславова Е.А.
Уваров А.В.
Неплох В.В.
Максимова А.А.
Баранов А.И.
Гудовских А.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2
23
719
Страницы: 10-17