Найти
НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
Редакционная коллегия
Главный редактор
Архив выпусков
Авторам
Меню
Содержание и структура статьи
Оформление статьи
Этика научных публикаций
Искусственный интеллект
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Аннотация к статье
Список литературы
Оформление рисунков
Лицензионное соглашение
График выхода журналов
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
Максимова Алина Андреевна
Подать статью
Последние выпуски
2025
,
Том 18
Выпуск 1
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 4
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3.2
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 3.1
Полный текст
Максимова Алина Андреевна
Место работы
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
decodeDefault
Публикации
Orcid ID
Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния
Физическая электроника
Уваров А.В.
Баранов А.И.
Максимова А.А.
Вячеславова Е.А.
Гудовских А.С.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.2
16
3293
Страницы: 150-154
Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства
Физическая электроника
Максимова А.А.
Уваров А.В.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Вячеславова Е.А.
Гудовских А.С.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
27
3698
Страницы: 123-127
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Баранов А.И.
Максимова А.А.
Резник Р.Р.
Цырлин Г.Э.
Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3
33
3282
Страницы: 281-284
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Максимова А.А.
Цырлин Г.Э.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2
50
3118
Страницы: 179-184
Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD
Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Кияницын С.Ю.
Баранов А.И.
Уваров А.В.
Максимова А.А.
Вячеславова Е.А.
Гудовских А.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.3
11
2618
Страницы: 90-95
Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики
Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Вячеславова Е.А.
Уваров А.В.
Максимова А.А.
Баранов А.И.
Гудовских А.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.3
8
2689
Страницы: 176-181
Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур
Физическая электроника
Вячеславова Е.А.
Уваров А.В.
Неплох В.В.
Максимова А.А.
Баранов А.И.
Гудовских А.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2
42
2882
Страницы: 10-17
Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния
Физическая электроника
Вячеславова Е.А.
Уваров А.В.
Максимова А.А.
Баранов А.И.
Гудовских А.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1
12
2214
Страницы: 434-438
Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT:PSS
Физическая электроника
Поздеев В.А.
Уваров А.В.
Гудовских А.С.
Максимова А.А.
Вячеславова Е.А.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1
25
2651
Страницы: 468-472
Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD
Физическая электроника
Вторыгин Г.Э.
Баранов А.И.
Уваров А.В.
Максимова А.А.
Вячеславова Е.А.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1
19
2162
Страницы: 473-478
Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства
Физическое материаловедение
Максимова А.А.
Уваров А.В.
Поздеев В.А.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Вячеславова Е.А.
Гудовских А.С.
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.2
27
2289
Страницы: 273-277
Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si
Физическая электроника
Вячеславова Е.А.
Уваров А.В.
Максимова А.А.
Баранов А.И.
Гудовских А.С.
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.1
8
738
Страницы: 199-203
Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки
Физика молекул, кластеров и наноструктур
Максимова А.А.
Уваров А.В.
Вячеславова Е.А.
Баранов А.И.
Ярчук Э.Я.
Гудовских А.С.
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2
5
520
Страницы: 152-156
Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов
Физическая оптика
Михайлов О.П.
Баранов А.И.
Уваров А.В.
Максимова А.А.
Вячеславова Е.А.
Гудовских А.С.
Шварц М.З.
Теруков Е.И.
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2
5
521
Страницы: 251-255
Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения
Физика конденсированного состояния
Баранов А.И.
Вторыгин Г.Э.
Уваров А.В.
Максимова А.А.
Вячеславова Е.А.
Гудовских А.С.
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3
19
1097
Страницы: 17-24