Последние выпуски
- 2026, Том 19 Выпуск 1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
Максимова Алина Андреевна
Место работы
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Публикации
Orcid ID
0000-0002-3503-7458
Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H (i)/ μc-Si:H (n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 17
- 5508
- Страницы: 150-154
Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 42
- 6226
- Страницы: 123-127
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 38
- 5681
- Страницы: 281-284
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 67
- 5444
- Страницы: 179-184
Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 19
- 4498
- Страницы: 90-95
Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 11
- 4776
- Страницы: 176-181
Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT: PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 49
- 5279
- Страницы: 10-17
Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 17
- 4395
- Страницы: 434-438
Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT: PSS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 30
- 5139
- Страницы: 468-472
Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 21
- 4263
- Страницы: 473-478
Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 35
- 4644
- Страницы: 273-277
Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2874
- Страницы: 199-203
Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 15
- 2501
- Страницы: 152-156
Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2539
- Страницы: 251-255
Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 26
- 3500
- Страницы: 17-24
Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 44
- 4183
- Страницы: 9-21
Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 4
- 534
- Страницы: 182-186
Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 2
- 525
- Страницы: 247-251
Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 5
- 505
- Страницы: 258-262