НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторМаксимова Алина Андреевна
    Подать статью
    Последние выпуски
    Максимова Алина Андреевна
    Максимова Алина Андреевна
    Место работы
    Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
    Публикации
    Orcid ID
    0000-0002-3503-7458

    Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H (i)/ μc-Si:H (n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

    Физическая электроника
    Уваров А.В.Баранов А.И.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 18
    • 6195
    • Страницы: 150-154

    Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

    Физическая электроника
    Максимова А.А.Уваров А.В.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 45
    • 7160
    • Страницы: 123-127

    Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Баранов А.И.Максимова А.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 39
    • 6399
    • Страницы: 281-284

    Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Резник Р.Р.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Максимова А.А.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 69
    • 6216
    • Страницы: 179-184

    Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Кияницын С.Ю.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 20
    • 5221
    • Страницы: 90-95

    Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 14
    • 5537
    • Страницы: 176-181

    Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT: PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Неплох В.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 52
    • 6148
    • Страницы: 10-17

    Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 19
    • 5150
    • Страницы: 434-438

    Исследование влияния растворителей и поверхностно-активных веществ на электрические свойства пленок PEDOT: PSS

    Физическая электроника
    Поздеев В.А. Уваров А.В.Гудовских А.С.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 32
    • 5962
    • Страницы: 468-472

    Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

    Физическая электроника
    Вторыгин Г.Э.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 23
    • 4950
    • Страницы: 473-478

    Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства

    Физическое материаловедение
    Максимова А.А.Уваров А.В.Поздеев В.А. Кириленко Д.А.Баранов А.И.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 37
    • 5564
    • Страницы: 273-277

    Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Уваров А.В.Максимова А.А.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 26
    • 3643
    • Страницы: 199-203

    Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

    Физика молекул, кластеров и наноструктур
    Максимова А.А.Уваров А.В.Вячеславова Е.А.Баранов А.И.Ярчук Э.Я.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 20
    • 3243
    • Страницы: 152-156

    Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

    Физическая оптика
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.Шварц М.З.Теруков Е.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 15
    • 3267
    • Страницы: 251-255

    Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения

    Физика конденсированного состояния
    Баранов А.И.Вторыгин Г.Э.Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3
    • 27
    • 4353
    • Страницы: 17-24

    Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

    Физика конденсированного состояния
    Голтаев А. С.Федина С.В.Федоров В.В.Можаров А.М.Новикова К.Н.Максимова А.А.Баранов А.И.Кавеев А.К.Павлов А.В.Минив Д.В.Устименко Р.В.Винниченко М.Я.Мухин И.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 2
    • 55
    • 5078
    • Страницы: 9-21

    Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста

    Физическая электроника
    Вячеславова Е.А.Мохов Д.В.Уваров А.В.Максимова А.А.Михайлов О.П.Баранов А.И.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 8
    • 1343
    • Страницы: 182-186

    Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах

    Физическое материаловедение
    Уваров А.В.Баранов А.И.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Поздеев В.А. Михайлов О.П.Никитина Е.В.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 8
    • 1345
    • Страницы: 247-251

    Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP

    Физическое материаловедение
    Михайлов О.П.Баранов А.И.Поздеев В.А. Уваров А.В.Максимова А.А.Вячеславова Е.А.Гудовских А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 1221
    • Страницы: 258-262