Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
Авторы:
Аннотация:

Впервые методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения были выращены слои фосфида индия (InP). В качестве источника индия выступал триметиллиндий (ТМИ), а в качестве источника фосфора – фосфин (РН3). Были оценены структурные свойства слоев InP, а также электропроводность, тип проводимости и концентрация носителей. Состав слоев InP по данным энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) близок к стехиометрическому. Выращенные слои имеют донорный тип проводимости, световые ВАХ продемонстрировали напряжение холостого хода Voc=0.48 В. Таким образом, была оценена возможность использования слоев на основе InP для создания солнечных элементов.